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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119725084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510167790.0，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构是由董青松;郭廷晃;张新;郭哲劭设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，方法包括以下步骤：获取晶圆的器件设计图形，其中器件设计图形包括栅极结构的图形；根据栅极结构的图形长度，将栅极结构的图形划分为第一类图形和第二类图形，其中第二类图形的长度大于第一类图形；设置支撑图形于晶圆的空白区域，其中支撑图形和栅极结构的图形相邻或与另一支撑图形相邻，且与第一类图形相邻的支撑图形的面积大于与第二类图形相邻的支撑图形的面积；以及根据器件设计图形和支撑图形加工晶圆，形成栅极结构和支撑结构。本发明提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，能够提升栅极结构的制造良率。

本发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：获取晶圆的器件设计图形，其中所述器件设计图形包括栅极结构的图形；根据所述栅极结构的图形长度，将所述栅极结构的图形划分为第一类图形和第二类图形，其中所述第二类图形的长度大于所述第一类图形的长度；设置支撑图形于所述晶圆的空白区域，其中所述支撑图形和所述栅极结构的图形相邻或与另一所述支撑图形相邻，且与所述第一类图形相邻的所述支撑图形的面积大于与所述第二类图形相邻的所述支撑图形的面积，其中设置所述支撑图形的步骤包括：获取所述晶圆的空白区域，将所述空白区域划分为第一空白区域、第二空白区域和第三空白区域，其中所述第一空白区域包围所述第一类图形，所述第三空白区域包围所述第二类图形，其中所述空白区域中除所述第一空白区域和所述第三空白区域外的区域为所述第二空白区域；设置第一支撑图形、第二支撑图形和第三支撑图形，其中所述第一支撑图形的面积大于所述第二支撑图形的面积，所述第二支撑图形的面积大于第三支撑图形的面积；以及将多个所述第一支撑图形排布在所述第一空白区域中，将多个所述第二支撑图形排布在所述第二空白区域中，将多个所述第三支撑图形排布在所述第三空白区域中，并获得晶圆的器件制造图形；根据所述器件设计图形和所述支撑图形加工所述晶圆，形成所述栅极结构和支撑结构。

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