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龙图腾网获悉粤芯半导体技术股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510135810.6，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王俊杰;高沛雄;黄海燕;许俊焯;刘晓兰;徐超;穆罕默德设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底，衬底的顶部具有离子掺杂区，离子掺杂区包括完全相同的第一检测区域和第二检测区域；第一电阻检测结构，包括：第一阻挡结构，第一检测区域被第一阻挡结构完全覆盖；第一电极，用于获取第一检测区域的第一电阻；第二电阻检测结构，包括：第二阻挡结构，第二检测区域的一部分被第二阻挡结构覆盖，第二检测区域的另一部分的表面形成有氧化层；第二电极，用于获取第二检测区域的第二电阻。通过在离子掺杂区域的表面形成不具有氧化层的第一电阻检测结构以及具有氧化层的第二电阻检测结构，根据二者测得的电阻值的不同，表征掺杂离子的氧化增强扩散效应，提高半导体结构的性能和可靠性。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的顶部具有离子掺杂区，所述离子掺杂区包括完全相同的第一检测区域和第二检测区域；第一电阻检测结构，包括：第一阻挡结构，所述第一检测区域被所述第一阻挡结构完全覆盖；第一电极，用于获取所述第一检测区域的第一电阻；第二电阻检测结构，包括：第二阻挡结构，包括经由光刻工艺去除与所述第一阻挡结构完全相同的过渡阻挡结构的一部分，形成的多个相邻子阻挡结构，所述第二检测区域的一部分被所述第二阻挡结构覆盖，所述多个相邻子阻挡结构之间露出的所述第二检测区域的表面形成有氧化层；第二电极，用于获取所述第二检测区域的第二电阻；所述半导体结构用于：对所述第一检测区域和所述第二检测区域进行热处理工艺，以使掺杂离子扩散，所述第一电阻小于所述第二电阻时，掺杂离子具有氧化增强扩散效应；所述半导体结构用于：对所述第一电阻检测结构和所述第二电阻检测结构执行第一工艺处理，所述第二电阻与所述第一电阻具有第一差值；对所述第一电阻检测结构和所述第二电阻检测结构执行第二工艺处理，所述第二电阻与所述第一电阻具有第二差值；所述第二差值大于所述第一差值时，所述第二工艺处理的氧化增强扩散指标值大于所述第一工艺处理的氧化增强扩散指标值。

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