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龙图腾网获悉深圳爱仕特科技有限公司申请的专利一种SiC MOSFET老化参数在线测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119575119B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510133869.1，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种SiC MOSFET老化参数在线测量系统是由陈宇;赵雪齐;吴旭峰;余训斐设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SiC MOSFET老化参数在线测量系统在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件监测技术领域，提供一种SiCMOSFET老化参数在线测量系统，老化参数包括阈值电压和导通电阻，在线测量系统包括体效应监测模块、栅极驱动监测模块、及相互校验模块。通过本申请提供的技术方案，第一方面，实现不影响功率器件正常工作的老化特征参数的在线实时测量，解决了器件在线工作和老化监测测不能同时进行的问题，能提前发现SiCMOSFET的潜在老化问题，采取预防措施，避免系统故障；第二方面，本发明通过集成采用体效应和栅极驱动两套在线实时监测方法分别开展监测并进行监测数据及其趋势数据的对比分析和交叉分析，提高监测预警的准确性，并解决仅采用一套监测方法的监测误差而造成误警的问题，及时互相校验提高监测方案的准确度。

本发明授权一种SiC MOSFET老化参数在线测量系统在权利要求书中公布了：1.一种SiCMOSFET老化参数在线测量系统，其特征在于，所述老化参数包括阈值电压和导通电阻，所述在线测量系统包括体效应监测模块、栅极驱动监测模块、及相互校验模块；所述体效应监测模块用于在SiCMOSFET栅极开关过程中，通过施加恒定测量电流，采集源漏极电压与栅极电压的关系曲线提取体效应下的阈值电压；还用于通过在SiCMOSFET的源漏极施加恒定测量电流，并监测其导通电压计算体效应下的导通电阻；所述栅极驱动监测模块用于使用电量测量单元对栅极间隔施加预偏置电压和扫描电压并监测漏极电流达到规定值时提取栅极电压即为栅极驱动下的阈值电压；还用于通过监测SiCMOSFET在开关过程中的栅极电荷变化来评估栅极驱动下的导通电阻；所述相互校验模块用于分别跟踪记录并绘制体效应监测下和栅极驱动下的阈值电压变化趋势、以及分别跟踪记录并绘制体效应监测下和栅驱动监测下的导通电阻变化趋势；若两个变化趋势分别一致且数据在正常范围，则持续正常监测；若两个变化趋势分别一致但数据异常，则发出SiCMOSFET老化预警；若两个变化趋势一个以上不一致，则对两个监测模块进行校准后重新监测。

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