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龙图腾网获悉天津工业大学;天津工业大学绍兴柯桥研究院申请的专利一种聚合物基级联马赫曾德尔微弱电压传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119595975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510127756.0，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种聚合物基级联马赫曾德尔微弱电压传感器是由李晓林;李鸿强;谢芳琳;杨月婷;韩明设计研发完成，并于2025-02-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种聚合物基级联马赫曾德尔微弱电压传感器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种聚合物基级联马赫曾德尔微弱电压传感器，包括上包层、芯层和下包层，该传感器的芯层包括由180°弯曲光波导相互连接的第一级马赫曾德尔电光调制器和第二级马赫曾德尔电光调制器；其中第一级马赫曾德尔电光调制器的半波电压高于第二级马赫曾德尔电光调制器的半波电压，且第一级马赫曾德尔电光调制器和第二级马赫曾德尔电光调制器内均设有两个电信号通路；通过第二级马赫曾德尔电光调制器的输出光强表征微弱电压信号。该传感器克服了传统硅基材料马赫曾德尔电光调制器高半波电压的缺点。采用两级马赫曾德尔级联型结构的电光调制器具有线性输出和尺寸小的特点，是一种抗电磁干扰且灵敏度高的微弱电压传感光子器件。

本发明授权一种聚合物基级联马赫曾德尔微弱电压传感器在权利要求书中公布了：1.一种聚合物基级联马赫曾德尔微弱电压传感器，用于微弱电信号检测，该聚合物基级联型微弱电压传感器采用三层波导结构，包括上包层、芯层和下包层，其中上包层和下包层采用PDMS制成，芯层采用PMMA制成；其特征在于：所述传感器的芯层包括由180°弯曲光波导相互连接的第一级马赫曾德尔电光调制器和第二级马赫曾德尔电光调制器；其中第一级马赫曾德尔电光调制器的半波电压高于第二级马赫曾德尔电光调制器的半波电压，且第一级马赫曾德尔电光调制器和第二级马赫曾德尔电光调制器内均设有两个电信号通路；所述的第一级马赫曾德尔电光调制器还包括1×2多模干涉耦合器及第一X型耦合器；所述1×2多模干涉耦合器的两个端口分别连接第一级马赫曾德尔电光调制器内两个电信号通路的信号输入端；所述第一X型耦合器的信号输入端分别连接两个电信号通路，第一X型耦合器的信号输出端连接180°弯曲光波导；所述的第二级马赫曾德尔电光调制器还包括第二X型耦合器及输出端波导；所述第二X型耦合器的信号输入端连接180°弯曲光波导，第二X型耦合器的信号输出端分别连接第二级马赫曾德尔电光调制器内两个电信号通路的信号输入端；所述输出端波导的两个端口分别连接第二级马赫曾德尔电光调制器内两个电信号通路的信号输出端；通过第二级马赫曾德尔电光调制器的输出光强表征微弱电压信号，其中第一级马赫曾德尔电光调制器的半波电压高于第二级马赫曾德尔电光调制器的半波电压，第一级马赫曾德尔电光调制器无偏置电压，有利于第二级马赫曾德尔电光调制器利用其低半波电压进行更高效的光信号调制。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人天津工业大学;天津工业大学绍兴柯桥研究院，其通讯地址为：300387 天津市西青区宾水西道399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。