山西创芯光电科技有限公司杨海峰获国家专利权
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龙图腾网获悉山西创芯光电科技有限公司申请的专利一种基于锑-磷材料系统的应变量子阱激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119765020B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510036625.1，技术领域涉及：H01S5/343；该发明授权一种基于锑-磷材料系统的应变量子阱激光器是由杨海峰;张培峰设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于锑-磷材料系统的应变量子阱激光器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于锑‑磷材料系统的应变量子阱激光器，属于半导体激光器技术领域；解决了经典的InGaAsSb‑AlGaAsSbI型应变量子阱结构的价带带阶不大，对空穴的束缚能力不强等问题；包括衬底，以及在衬底上依次外延生长的缓冲层、下限制层、下波导层、下量子势垒层、量子阱、上量子势垒层、上波导层、上限制层和保护层，衬底和缓冲层采用InPSb材料，下限制层和上限制层采用与衬底材料晶格匹配的InAlPSb材料，下波导层、下量子势垒层、上量子势垒层、上波导层均采用与衬底材料晶格匹配的AlGaPSb材料，量子阱采用与衬底材料晶格失配的InGaPSb材料；本发明把磷引入经典结构，即采用锑‑磷的材料系统，能有效提高价带带阶和热导率。
本发明授权一种基于锑-磷材料系统的应变量子阱激光器在权利要求书中公布了：1.一种基于锑-磷材料系统的应变量子阱激光器，包括衬底，以及在衬底上依次外延生长的缓冲层、下限制层、下波导层、下量子势垒层、量子阱、上量子势垒层、上波导层、上限制层和保护层，其特征在于：所述衬底和缓冲层采用InPSb材料，所述下限制层和上限制层采用与衬底材料晶格匹配的InAlPSb材料，所述下波导层、下量子势垒层、上量子势垒层、上波导层均采用与衬底材料晶格匹配的AlGaPSb材料，所述量子阱采用与衬底材料晶格失配的InGaPSb材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西创芯光电科技有限公司，其通讯地址为：030000 山西省太原市小店区南内环街16号二号厂房一层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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