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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411943830.8，技术领域涉及：H10H20/815；该发明授权Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED是由胡加辉;郑文杰;高虹;刘春杨;金从龙设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。其中，Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、第一翘曲调控层、非掺杂GaN层、第二翘曲调控层、N型GaN层、第三翘曲调控层、多量子阱层和P型GaN层；所述第一翘曲调控层为三维GaN层，所述第二翘曲调控层包括交替层叠的第一Si掺GaN层和Si掺AlGaN层，所述第三翘曲调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺AlInGaN层和超晶格层，所述超晶格层包括交替层叠的第二Si掺GaN层和InGaN层。实施本发明，可提升Micro‑LED的发光效率和波长均匀性。

本发明授权Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于所述衬底上的缓冲层、第一翘曲调控层、非掺杂GaN层、第二翘曲调控层、N型GaN层、第三翘曲调控层、多量子阱层和P型GaN层；所述第一翘曲调控层为三维GaN层，所述第二翘曲调控层包括交替层叠的第一Si掺GaN层和Si掺AlGaN层，所述第三翘曲调控层包括依次层叠于所述N型GaN层上的Si掺AlInGaN层和超晶格层，所述超晶格层包括交替层叠的第二Si掺GaN层和InGaN层；所述Si掺AlGaN层中Al组分占比为0.1~0.15，所述第一Si掺GaN层的厚度与所述Si掺AlGaN层的厚度之比4:1~10:1；所述Si掺AlInGaN层中Al组分占比≤0.2，In组分占比≤0.1；所述InGaN层中In组分占比≤0.15；所述Si掺AlInGaN层的晶格常数大于所述N型GaN层的晶格常数，所述Si掺AlInGaN层的晶格常数小于所述InGaN层的晶格常数。

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