同济大学凌岚获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种聚乙烯亚胺接枝的含有丰富硫空位的硫化铟复合材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119327515B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411883990.8，技术领域涉及：B01J31/26；该发明授权一种聚乙烯亚胺接枝的含有丰富硫空位的硫化铟复合材料及其制备方法与应用是由凌岚;楚东东设计研发完成，并于2024-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种聚乙烯亚胺接枝的含有丰富硫空位的硫化铟复合材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种聚乙烯亚胺接枝的含有丰富硫空位的硫化铟复合材料及其制备方法与应用，属于硫化铟催化剂材料的技术领域。本发明复合材料包括含有丰富硫空位的硫化铟，以及接枝于所述含有丰富硫空位的硫化铟的聚乙烯亚胺；所述含有丰富硫空位的硫化铟表面的Zeta电势为负，聚乙烯亚胺表面的Zeta电势为正，通过静电自组装方法形成复合材料。制备方法：将铟源分散于含硫有机物中，加热得到含有丰富硫空位的硫化铟；将所得含有丰富硫空位的硫化铟添加到聚乙烯亚胺溶液中，加热得到所述聚乙烯亚胺接枝的含有丰富硫空位的硫化铟复合材料。本发明所得PEIIn2S3‑SV复合材料具有过氧化氢产率高，制备过程简单可控等优点。
本发明授权一种聚乙烯亚胺接枝的含有丰富硫空位的硫化铟复合材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种聚乙烯亚胺接枝的含有丰富硫空位的硫化铟复合材料，其特征在于，包括含有丰富硫空位的硫化铟，以及接枝于所述含有丰富硫空位的硫化铟的聚乙烯亚胺；所述含有丰富硫空位的硫化铟表面的Zeta电势为负，聚乙烯亚胺表面的Zeta电势为正，通过静电自组装方法形成复合材料；所述聚乙烯亚胺接枝的含有丰富硫空位的硫化铟复合材料的表面Zeta电势为40-45mV。
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