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龙图腾网获悉派恩杰半导体(浙江)有限公司申请的专利一种功率半导体模块及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119275216B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411788885.6，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种功率半导体模块及制作方法是由陈金秋;黄兴;刘昀粲设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体模块及制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术，公开了一种功率半导体模块及制作方法，其包括上桥模块、下桥模块和键合单元，上桥模块与下桥模块通过键合单元连接，并形成一腔体；腔体包括第一方向上的第一边和第三边，第二方向上相对的第二边和第四边，第一边、第二边、第三边和第四边首尾相接。本发明设计的功率半导体模块，将模块内部的上桥区域和下桥区域分成两片，面对面折叠封装，键合柱外置在覆铜基板上，充分利用了纵向空间，模块整体体积相较于传统的双面水冷模块和单面水冷模块来说，缩小了百分之四十左右，同时还保存了部分双面散热的设计。

本发明授权一种功率半导体模块及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体模块，其特征在于，包括上桥模块、下桥模块和键合单元，上桥模块与下桥模块通过键合单元连接，并形成一腔体；腔体包括第一方向上的第一边和第三边，第二方向上相对的第二边和第四边，第一边、第二边、第三边和第四边首尾相接；上桥模块连接有上桥功率DC引脚、上桥栅极引脚、上桥开尔文源极引脚；下桥模块连接有下桥开尔文源极引脚、下桥栅极引脚、下桥功率DC引脚、NTC热敏电阻第一引脚、NTC热敏电阻第二引脚和下桥AC引脚；第三边上依次为下桥开尔文源极引脚，上桥栅极引脚，下桥栅极引脚，上桥开尔文源极引脚，下桥功率DC引脚，NTC热敏电阻第一引脚和NTC热敏电阻第二引脚；与第三边相对的第一边上依次为下桥AC引脚和上桥功率DC引脚；下桥模块包括下桥基板；下桥基板设有下桥导电区域，下桥导电区域包括下桥开尔文源极键合区、下桥支撑柱焊接区、下桥栅极键合区，下桥功率DC键合区、下桥芯片焊接区和上下桥结合柱焊接区；第三边一侧依次为下桥功率DC键合区、下桥栅极键合区和下桥开尔文源极键合区，且下桥开尔文源极键合区位于第二边与第三边连接处；上下桥结合柱焊接区靠近第一边一侧；下桥支撑柱焊接区包括有第一支撑柱焊接区和第二支撑柱焊接区，第一支撑柱焊接区靠近第四边，第二支撑柱靠近第二边；第四边一侧依次为下桥功率DC键合区、下桥芯片焊接区、第一支撑柱焊接区、下桥芯片焊接区和上下桥结合柱焊接区；多个下桥芯片和下桥芯片连接单元；多个下桥芯片安装于下桥芯片焊接区，多个下桥芯片相互之间通过下桥芯片连接单元连接，且下桥芯片与下桥栅极键合区连接有下桥栅极打线；下桥芯片与下桥开尔文源极键合区连接有下桥开尔文源极打线；下桥功率DC引脚位于下桥功率DC键合区；下桥开尔文源极引脚位于下桥开尔文源极键合区且靠近第三边一侧；下桥栅极引脚位于下桥栅极键合区且靠近第三边一侧；上桥模块包括上桥基板，上桥基板设有上桥导电区域，上桥导电区域包括上桥功率DC键合区，NTC热敏电阻键合区、上桥开尔文源极键合区、上桥栅极键合区和上桥芯片焊接区；第三边一侧依次为NTC热敏电阻键合区、上桥开尔文源极键合区和上桥栅极键合区，且上桥栅极键合区位于第三边和第二边连接处；第二边一侧为上桥栅极键合区和上桥芯片焊接区；上桥功率DC键合区位于第一边的一侧；多个上桥芯片和上桥芯片连接单元，多个上桥芯片安装于上桥芯片焊接区，多个上桥芯片相互之间通过上桥芯片连接单元连接，且上桥芯片与上桥栅极键合区连接有上桥栅极打线；上桥芯片与上桥开尔文源极键合区连接有上桥开尔文源极打线；热敏电阻键合单元，NTC热敏电阻键合区上为NTC热敏电阻，NTC热敏电阻通过热敏电阻键合单元连接；上桥功率DC引脚位于上桥功率DC键合区；下桥AC引脚位于上桥芯片焊接区且靠近第二边和第一边连接处；NTC热敏电阻第一引脚、NTC热敏电阻第二引脚依次位于NTC热敏电阻键合区；上桥开尔文源极引脚位于上桥开尔文源极键合区且靠近第三边一侧；上桥栅极引脚位于上桥栅极键合区且靠近第三边一侧。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人派恩杰半导体(浙江)有限公司，其通讯地址为：315300 浙江省宁波市前湾新区滨海四路316号1号楼A160；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。