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龙图腾网获悉杭州长光辰芯微电子有限公司;长春长光辰芯微电子股份有限公司申请的专利一种高速TDI图像传感器像素单元及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421519B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411766837.7，技术领域涉及：H10F39/15；该发明授权一种高速TDI图像传感器像素单元及图像传感器是由阿萨夫·拉哈夫;周泉;皮埃尔·布朗克;郭思语设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速TDI图像传感器像素单元及图像传感器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体图像传感器技术领域，具体提供一种高速TDI图像传感器像素单元及图像传感器，像素单元由多晶硅栅、埋沟道和光电二极管组成，光电二极管的有源区为梯形，且梯形有源区的长底边与埋沟道连接，有源区包括多级n型注入区，由埋沟道注入区至梯形有源区的短底边，内建电势依次递减。本发明在传统TDI图像传感器像素单元上增设了钳位光电二极管，并且光电二极管采用梯形和多级n型注入区的组合设计，使电势朝向多晶硅栅阶梯状递增，提高了电荷向多晶硅栅的流动速度，降低了流动时间，在不增加功耗的前提下，可应用于高速场景。基于上述像素单元设计图像传感器，可以有效降低功耗，且提高其信息采集速度，避免图像混叠问题。

本发明授权一种高速TDI图像传感器像素单元及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种高速TDI图像传感器像素单元，包括：多晶硅栅和埋沟道，所述埋沟道设置在所述多晶硅栅的下方，其特征在于，还包括与所述埋沟道沿水平方向排布的光电二极管，所述光电二极管的有源区为梯形，且梯形有源区的长底边与所述埋沟道连接，有源区外围设有用于隔离相邻像素单元的P阱区；有源区包括沿梯形高度方向分布的n型注入区，所述埋沟道的内建电势高于有源区的n型注入区内建电势，且梯形有源区的长底边位置的电势高于短底边位置的电势；有源区包括至少两个沿梯形高度方向分布、且沿梯形有源区的长底边至短底边内建电势依次递减的n型注入区；所述埋沟道和有源区的n型注入区内建电势梯度需满足：电荷由梯形有源区的短底边水平流动至所述埋沟道的时间小于电荷由所述埋沟道竖直流动至所述多晶硅栅的时间的十分之一；有源区的n型注入区上方设有p型注入区，通过调节p型注入区和n型注入区的注入条件，可改变内建电势；有源区的n型注入区与p型注入区数量相同，且相对位置一一对应；或有源区的n型注入区与p型注入区数量不同，且相对位置为非一一对应关系；通过对像素单元进行尺寸拓展以及排列组合，实现不同尺寸的TDI像素，利用相同宽度的像素单元进行组合叠加，每个像素单元中的多晶硅栅对应TDI像素的一个时钟相位，每个TDI像素包含多个叠加的像素单元；将不同n型注入区的长度表示为A1，A2，…，An-1，An，可任意选取几个连续或者不连续的n型注入区组成新的有源区，实现长度方向像素尺寸可变。

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