润芯感知科技(南昌)有限公司高晋文获国家专利权
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龙图腾网获悉润芯感知科技(南昌)有限公司申请的专利半导体加工工艺方法和半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119220936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411731181.5,技术领域涉及:C23C14/24;该发明授权半导体加工工艺方法和半导体器件是由高晋文;郭佳惠;王晋;徐家骏;黄峰设计研发完成,并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体加工工艺方法和半导体器件在说明书摘要公布了:一种半导体加工工艺方法和半导体器件,半导体加工工艺方法包括:在衬底上形成具有掩膜开口的图案化的掩膜层;进行蒸发工艺,以在衬底和图案化的掩膜层上形成金属材料层,金属材料层包括形成在被掩膜开口暴露出的衬底上的金属图案以及形成在图案化的掩膜层上的牺牲金属部;移除图案化的掩膜层和牺牲金属部,其中在蒸发时间段进行蒸发工艺,且在蒸发工艺中,将形成有图案化的掩膜层的衬底置于蒸发设备的承载盘上,衬底随着承载盘的旋转而旋转,其中蒸发时间段包括第一时间段和第二时间段,承载盘在第一时间段沿第一旋转方向旋转,且在第二时间段沿与第一旋转方向相反的第二旋转方向旋转。所述半导体加工工艺方法可改善所形成的金属图案的形貌。
本发明授权半导体加工工艺方法和半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体加工工艺方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成图案化的掩膜层,所述图案化的掩膜层具有掩膜开口,以暴露出所述衬底的部分表面;进行蒸发工艺,以在所述衬底和所述图案化的掩膜层上形成金属材料层,所述金属材料层包括形成在被所述掩膜开口暴露出的所述衬底上的金属图案以及形成在所述图案化的掩膜层的远离所述衬底一侧的牺牲金属部,所述金属图案具有在平行于所述衬底的主表面的方向上相对的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁与所述衬底的主表面之间具有第一夹角,所述第二侧壁与所述衬底的主表面之间具有第二夹角,其中所述金属图案的所述第一侧壁和所述第二侧壁各自与所述图案化的掩膜层的定义所述掩膜开口的侧壁间隔开;以及移除所述图案化的掩膜层和所述牺牲金属部,其中在蒸发时间段进行所述蒸发工艺,且在所述蒸发工艺中,将形成有所述图案化的掩膜层的所述衬底置于蒸发设备的承载盘上,材料蒸汽蒸发至所述衬底表面,且所述衬底随着所述承载盘的旋转而旋转,其中所述蒸发时间段包括第一时间段和第二时间段,所述承载盘在所述第一时间段沿第一旋转方向旋转,且在所述第二时间段沿第二旋转方向旋转,所述第二旋转方向与所述第一旋转方向相反,从而使得所述金属图案具有以下特征的至少一者:所述第一夹角与所述第二夹角的差值范围为0至2°;所述第一夹角和所述第二夹角的差值与所述第一夹角和所述第二夹角的平均值的比值范围为0至2%。
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