天津大学程姗姗获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种利用改性氧化石墨烯纳米片的柔性有机场效应晶体管呼吸氨传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317292B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411420932.1，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种利用改性氧化石墨烯纳米片的柔性有机场效应晶体管呼吸氨传感器及其制备方法是由程姗姗;胡文平;庞富霜设计研发完成，并于2024-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用改性氧化石墨烯纳米片的柔性有机场效应晶体管呼吸氨传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用改性氧化石墨烯纳米片的柔性有机场效应晶体管呼吸氨传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域，一种利用改性氧化石墨烯纳米片的柔性有机场效应晶体管呼吸氨传感器，自下而上依次包括柔性基底、栅极、柔性介电层、有机半导体层和源极漏极，所述有机半导体层原料包括聚[并二噻吩‑交替‑2,5‑二2‑辛基十二烷基‑3,6‑二噻吩基‑吡咯并吡咯二酮]、弹性体和改性氧化石墨烯。含有多种官能团的纳米材料OA‑GO对目标气体具有吸附作用，本发明通过制备一种含有OA‑GO的多孔薄膜，增大与气体接触的表面积，可以暴露更多的结合位点，最终实现对目标气体NH3的高灵敏、高选择性的检出。
本发明授权一种利用改性氧化石墨烯纳米片的柔性有机场效应晶体管呼吸氨传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种利用改性氧化石墨烯纳米片的柔性有机场效应晶体管呼吸氨传感器，其特征在于，自下而上依次包括柔性基底、栅极、柔性介电层、有机半导体层和源极漏极，所述有机半导体层原料包括聚[并二噻吩-交替-2,5-二2-辛基十二烷基-3,6-二噻吩基-吡咯并吡咯二酮]、弹性体和改性氧化石墨烯；所述改性氧化石墨烯为长链油胺修饰的氧化石墨烯；所述有机半导体层的制备方法包括以下步骤：将含有改性氧化石墨烯、聚[并二噻吩-交替-2,5-二2-辛基十二烷基-3,6-二噻吩基-吡咯并吡咯二酮]和弹性体的混合溶液进行剪切，然后刮涂在十八烷基三氯硅烷修饰的硅片上，退火，得到的有机半导体薄膜即所述有机半导体层；所述剪切的速度为0.37mms；所述改性氧化石墨占所述聚[并二噻吩-交替-2,5-二2-辛基十二烷基-3,6-二噻吩基-吡咯并吡咯二酮]重量的4％。
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