同济大学胡辉获国家专利权
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龙图腾网获悉同济大学申请的专利一种逐次逼近型ADC电容失配校准方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119382702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411362375.2,技术领域涉及:H03M1/10;该发明授权一种逐次逼近型ADC电容失配校准方法是由胡辉;邱雷设计研发完成,并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种逐次逼近型ADC电容失配校准方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种逐次逼近型ADC电容失配校准方法,属于集成电路技术领域,该方法包括:设定待校准ADC中各电容权重的初始值,向其输入预设类型的输入信号,采集其输出码字,绘制输出码字的实际曲线;根据输入信号的类型,选取对应的概率密度函数,并绘制出其函数曲线,作为输出码字的理想曲线;迭代更新各电容权重,找到使得实际曲线与理想曲线最接近的电容权重,作为最优电容权重,完成电容失配校准。本发明不需要引入额外的模数转换器,也不需要加入扰动信号,更不需要模拟电路的配合,就能够实现全部电容权重的校准。
本发明授权一种逐次逼近型ADC电容失配校准方法在权利要求书中公布了:1.一种逐次逼近型ADC电容失配校准方法,其特征在于,包括:设定待校准模数转换器ADC中各电容权重的初始值,向待校准ADC输入预设类型的输入信号,采集待校准ADC的输出码字,绘制输出码字的实际曲线,包括:将各输出码字与对应的电容权重相乘,并计算加权和Dout,公式表示为:其中,di表示第i位输出码字;Wi表示di对应的电容权重;n表示电容的位数;对Dout进行直方图统计,得到表示Dout分布特征的直方图;得到所述直方图中每个bin的高度,以所述直方图中各个bin的高度对应的数据点作为离散点进行曲线拟合,将拟合出的曲线作为所述输出码字的实际曲线;其中,在对Dout进行直方图统计时,首先需要根据ADC的有效位数确定Dout的取值范围,然后将此取值范围等间隔划分为多个区间,然后统计落入每一区间内的Dout的样本数,也即在统计所得的直方图中每个bin对应的分别是处于某一区间的Dout样本数,区间大小则基于ADC的有效位数,根据经验设定;在得到相应直方图后,对于图中的每一bin,代表其高度的离散点即为以该bin所对应的区间的中间值为横坐标,以该bin所对应的样本数为纵坐标的点;根据输入信号的类型,选取对应的概率密度函数,并绘制出所述概率密度函数对应的曲线,作为待校准ADC的输出码字的理想曲线;在各电容权重的初始值基础上,以预设的权重变化步长,迭代更新各电容权重,并在每次迭代更新各电容权重后重新绘制所述实际曲线,找到使得所述实际曲线与所述理想曲线最接近的电容权重,作为最优电容权重,完成电容失配校准。
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