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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利功率模块结温估计方法、热网络模型构建方法、装置、设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119066929B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411202766.8，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权功率模块结温估计方法、热网络模型构建方法、装置、设备和存储介质是由帅智康;王鑫;彭英舟;王开春设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本功率模块结温估计方法、热网络模型构建方法、装置、设备和存储介质在说明书摘要公布了：本申请涉及一种功率模块结温估计方法、热网络模型构建方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取功率半导体模块的功率损耗和功率半导体模块所处环境的实时环境温度；功率半导体模块包括多个芯片；将功率损耗和实时环境温度输入至预先构建好的热网络模型，通过热网络模型预测功率半导体模块的温度变化参数；其中，热网络模型是根据第一热网络参数和第二热网络参数构建的，第一热网络参数用于描述功率半导体模块内部各芯片的热行为；第二热网络参数用于描述功率半导体模块中多芯片之间的耦合热行为和散热行为。采用本方法可以提高功率半导体模块的结温预测准确性。

本发明授权功率模块结温估计方法、热网络模型构建方法、装置、设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种功率模块结温估计方法，其特征在于，所述方法包括：获取功率半导体模块的功率损耗和所述功率半导体模块所处环境的实时环境温度；所述功率半导体模块包括多个芯片；将所述功率损耗和所述实时环境温度输入至预先构建好的热网络模型，通过所述热网络模型预测所述功率半导体模块的温度变化参数；所述热网络模型包括第一模型和第二模型；所述热网络模型根据芯片对应的自热热阻抗和互热热阻抗，计算芯片对应的壳温，并将壳温汇总至第一模型中进行结温估计，得到所述功率半导体模块中芯片的温度变化参数；其中，所述热网络模型是根据第一热网络参数和第二热网络参数构建的，所述第一模型指基于所述第一热网络参数构建的初始热网络模型；所述第二模型指基于所述第二热网络参数构建的初始热网络模型；所述第一热网络参数用于描述所述功率半导体模块内部各芯片的热行为；所述功率半导体模块包括多个结构层，所述第一热网络参数包括各结构层的热阻和热容；所述第二热网络参数用于描述所述功率半导体模块中多芯片之间的耦合热行为和散热行为；所述第二热网络参数包括芯片本身的自热热阻抗和芯片之间的互热热阻抗，所述自热热阻抗用于描述芯片自身产生的热量对温度的影响；所述自热热阻抗包括自热热阻和自热热容；所述自热热阻描述的是芯片内部由于热量产生导致的温度差与热流量之间的关系；所述自热热容是指芯片在温度变化过程中吸收或释放的热量与温度变化之间的比例关系；所述互热热阻抗用于描述多个芯片之间由于热量交换而产生的相互影响；所述互热热阻抗包括互热热阻和互热热容；所述互热热阻描述的是多个芯片之间由于热量传递而导致的温度差异与热流量之间的关系；所述互热热容描述了多个芯片在温度变化过程中相互影响的热量储存能力。

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