长沙华屹半导体有限公司杨美高获国家专利权
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龙图腾网获悉长沙华屹半导体有限公司申请的专利一种等离子体刻蚀腔体电极冷却盘结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222966071U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422111736.8，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种等离子体刻蚀腔体电极冷却盘结构是由杨美高;范浩;兰忠忠设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种等离子体刻蚀腔体电极冷却盘结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种等离子体刻蚀腔体电极冷却盘结构，涉及半导体制造领域，包括铸铝基座、用于循环冷却液的冷却液流道以及用于安装铸铝基座的腔体上盖，所述腔体上盖内部设置有上电极，上电极位于铸铝基座底部，所述冷却液流道由铸入铸铝基座内的内导流管以及设于铸铝基座外的外导流管组成；本实用新型利用由铸铝基座和冷却液流道组成的冷却盘结构作为电极温度控制的核心部件，可有效的将电极温度控制在一定区域内，不使其温差过大，能有效避免由于局部温差过大导致等离子体分布不均匀，进而能提高等离子体的一致性和刻蚀的均匀程度，且有降低特殊气体电离所产生的热量，保护电极及其周围电子元器件，保证其使用寿命及稳定性的功效。
本实用新型一种等离子体刻蚀腔体电极冷却盘结构在权利要求书中公布了：1.一种等离子体刻蚀腔体电极冷却盘结构，包括铸铝基座1、用于循环冷却液的冷却液流道2以及用于安装铸铝基座1的腔体上盖4，其特征在于，所述腔体上盖4内部设置有上电极3，上电极3位于铸铝基座1底部，所述冷却液流道2由铸入铸铝基座1内的内导流管21以及设于铸铝基座1外的外导流管23组成，所述内导流管21采用螺旋上下的方式均布于铸铝基座1内部，且所述铸铝基座1上开设有多个通气孔13。
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