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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种提高反向续流的SiC UMOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967300U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422072682.9，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种提高反向续流的SiC UMOSFET器件是由朱秀梅;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高反向续流的SiC UMOSFET器件在说明书摘要公布了：一种提高反向续流的SiCUMOSFET器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的N+衬底层、N‑外延层和正面电极金属层；所述N‑外延层内设有：PW区，从所述N‑外延层的顶面向下延伸，与所述N‑外延层的底面设有间距；所述PW区通过若干栅极沟槽区将其分隔成中部PW区和若干侧部PW区；所述栅极沟槽区的槽底低于PW区的底面；P+区，包括第一P+区和第二P+区；其中，所述第一P+区从中部PW区的顶面中部向下延伸，侧部与所述中部PW区的侧部设有间距；其中，所述第二P+区从侧部PW区的顶面侧部向下延伸；N+区，包括第一N+区和第二N+区；本实用新型抑制了栅氧化层处的峰值电场，可以改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性问题。

本实用新型一种提高反向续流的SiC UMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种提高反向续流的SiCUMOSFET器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的N+衬底层（1）、N-外延层（2）和正面电极金属层（14）；所述N-外延层（2）内设有：PW区（3），从所述N-外延层（2）的顶面向下延伸；所述PW区（3）通过若干栅极沟槽区（4）将其分隔成中部PW区和若干侧部PW区；P+区，包括第一P+区（5）和第二P+区（5’）；其中，所述第一P+区（5）从中部PW区的顶面中部向下延伸，侧部与所述中部PW区的侧部设有间距；其中，所述第二P+区（5’）从侧部PW区的顶面侧部向下延伸；N+区，包括第一N+区（6）和第二N+区（6’）；其中，所述第一N+区（6）从中部PW区的顶面向下延伸，与所述第一P+区（5）侧部相连；所述第一N+区（6）的底面与中部PW区底面之间设有间距；其中，所述第二N+区（6’）从侧部PW区的顶面中部向下延伸；欧姆接触合金（8），设置在所述第一P+区（5）中部源极沟槽区（7）的侧壁；栅氧层（9），形成于所述栅极沟槽区（4）的侧壁和槽底；Poly层（10），填充于所述栅极沟槽区（4）内，并与所述栅氧层（9）连接；所述N-外延层（2）上设有隔离介质层（11）、欧姆接触合金层（12）、肖特基金属层（13）和正面电极金属层（14）。

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