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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利具有改善P-well区电场集中的SiCVDMOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967303U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422072738.0，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型具有改善P-well区电场集中的SiCVDMOS器件是由王坤;杨程;王正;万胜堂;马驰远;朱秀梅;王毅设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有改善P-well区电场集中的SiCVDMOS器件在说明书摘要公布了：具有改善P‑well区电场集中的SiCVDMOS器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置的漏极金属层、N+衬底层、N型缓冲层和N‑漂移层；所述N‑漂移层上设有：P‑Well区，从所述N‑漂移层的顶面向下延伸，靠近中部一侧呈一斜面；N+区，从所述P‑Well区的顶面向下延伸；P+区，从所述P‑Well区的顶面向下延伸，并与所述N+区连接；栅氧化层，设置在所述N‑漂移层的顶面，其底面分别与所述N+区、P‑Well区和N‑漂移层连接；Poly层，形成于所述栅氧化层的顶面；介质层，包裹在所述栅氧化层和Poly层上，并与所述N+区连接；源极欧姆接触合金层，形成于所述P+区和N+区的顶面，侧部与所述介质层连接；源极金属层，形成于所述源极欧姆接触合金层和介质层的顶面。本实用新型增强了芯片过流能力。

本实用新型具有改善P-well区电场集中的SiCVDMOS器件在权利要求书中公布了：1.具有改善P-well区电场集中的SiCVDMOS器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的漏极金属层（1）、N+衬底层（2）、N型缓冲层（3）和N-漂移层（4）；所述N-漂移层（4）上设有：P-Well区（5），从所述N-漂移层（4）的顶面向下延伸，靠近中部一侧呈一斜面；N+区（8），从所述P-Well区（5）的顶面向下延伸；P+区（6），从所述P-Well区（5）的顶面向下延伸，并与所述N+区（8）连接；栅氧化层（9），设置在所述N-漂移层（4）的顶面，其底面分别与所述N+区（8）、P-Well区（5）和N-漂移层（4）连接；Poly层（10），形成于所述栅氧化层（9）的顶面；介质层（11），包裹在所述栅氧化层（9）和Poly层（10）上，并与所述N+区（8）连接；源极欧姆接触合金层（7），形成于所述P+区（6）和N+区（8）的顶面，侧部与所述介质层（11）连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司，其通讯地址为：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。