买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种更好栅极保护结构的SiC MOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967305U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422072689.0，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种更好栅极保护结构的SiC MOS是由王正;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种更好栅极保护结构的SiC MOS在说明书摘要公布了：一种更好栅极保护结构的SiCMOS，涉及半导体技术领域。包括从下而上设置的SiCSub层和SiCEpi层；所述SiCEpi层上设有：P‑body区，从所述SiCEpi层的顶面向下延伸；NP区，从所述P‑body区的顶面向下延伸；PP区，从所述P‑body区的顶面向下延伸，并与所述NP区连接；P‑shield区，从所述P‑body区的顶面向下延伸，与所述P‑body区设有间距；N+区，从所述P‑shield区的顶面向下延伸；栅极欧姆接触合金层，形成于所述P‑shield区的顶面，底面分别与所述P‑shield区和N+区连接；栅氧化层，与所述栅极欧姆接触合金层连接，底部分别与所述NP区、P‑body区和SiCEpi层连接；栅氧化层的顶面低于栅极欧姆接触合金层的底面；本实用新型实现了对SiCMOSFET器件栅氧化层良好的保护效果，提高了器件的栅氧化层可靠性。

本实用新型一种更好栅极保护结构的SiC MOS在权利要求书中公布了：1.一种更好栅极保护结构的SiCMOS，其特征在于，包括从下而上设置的SiCSub层（1）和SiCEpi层（2）；所述SiCEpi层（2）上设有：P-body区（3），从所述SiCEpi层（2）的顶面向下延伸；所述P-body区（3）的顶面设有向下延伸，并相互连接的NP区（4）和PP区（5）；P-shield区（6），从所述P-body区（3）的顶面向下延伸，与所述P-body区（3）设有间距；N+区（7），从所述P-shield区（6）的顶面向下延伸；栅极欧姆接触合金层（8），形成于所述P-shield区（6）的顶面，底面分别与所述P-shield区（6）和N+区（7）连接；栅氧化层（9），与所述栅极欧姆接触合金层（8）连接，底部分别与所述NP区（4）、P-body区（3）和SiCEpi层（2）连接；Poly层（10），形成于所述栅氧化层（9）和栅极欧姆接触合金层（8）的顶面；隔离介质层（11），包裹在所述栅氧化层（9）和Poly层（10）上，侧部向下延伸与所述NP区（4）连接；源极欧姆接触合金层（12），形成于所述隔离介质层（11）的侧部，底面分别与所述PP区（5）和NP区（4）连接；源极金属层（13），形成于所述源极欧姆接触合金层（12）和隔离介质层（11）的顶面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司，其通讯地址为：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。