扬州扬杰电子科技股份有限公司王正获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利集成混合型体二极管的SiC MOSFETT获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967306U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422072698.X，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型集成混合型体二极管的SiC MOSFETT是由王正;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成混合型体二极管的SiC MOSFETT在说明书摘要公布了：集成混合型体二极管的SiCMOSFET，涉及半导体技术领域。本实用新型在沟槽栅SiCMOSFET器件内部集成SBD二极管和PN结二极管，形成混合型体二极管，实现了对器件长期稳定使用的改善。在Is续流过程中，SBD体二极管作为续流管先行开启，避免了空穴进入到SiCDrift层中发生双极退化效应；在器件经Issm大浪涌电流时，PN结体二极管开启，从而提高了器件承受大浪涌电流冲击能力。
本实用新型集成混合型体二极管的SiC MOSFETT在权利要求书中公布了：1.集成混合型体二极管的SiCMOSFETT，其特征在于，包括从下而上设置的SiCSub层（1）、SiCDrift层（2）、CSL层（3）、第二欧姆接触层（13）和正面电极金属层（14）；所述CSL层（3）的顶面设有：肖特基接触层（4），形成于所述CSL层（3）的顶面；P-body层（5），沉积在所述CSL层（3）的顶面；P+区（6），形成于所述CSL层（3）的顶面，并与所述P-body层（5）和肖特基接触层（4）连接；NP层（7），沉积在所述P-body层（5）和P+区（6）的顶面；第一欧姆接触层（8），形成于所述肖特基接触层（4）上，侧部与所述NP层（7）和P+区（6）连接，顶面位于所述NP层（7）的上方；P-shield区（9），设置在所述CSL层（3）的下方，用于屏蔽电场，保护栅氧化层；栅氧化层（10），截面呈U形结构，从所述NP层（7）的顶面向下延伸，依次穿过所述NP层（7）、P-body层（5）和CSL层（3）后，与所述P-shield区（9）连接；Poly层（11），填充在所述栅氧化层（10）内；隔离介质层（12），沉积在所述Poly层（11）上，用于隔离SiCMOSFET的栅电极和源电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司，其通讯地址为：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号