扬州扬杰电子科技股份有限公司王正获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种SiC VDMOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967307U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422072724.9，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种SiC VDMOSFET器件是由王正;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC VDMOSFET器件在说明书摘要公布了：一种SiCVDMOSFET器件，涉及半导体技术领域。本实用新型向器件栅极中间底部的SiCDrift层离子注入形成重掺杂的PP区，并在PP区的顶面通过制备实现欧姆接触，使栅极Poly层与PP区相连接。在栅极Poly层受驱动电压时，PP区可以释放一部分栅极驱动电压应力，从而减轻对栅氧化层的电压应力，保护了栅氧化层，而在器件阻断过程中，PP区由于处于栅极底部，又可以屏蔽漏极电压产生的电场集中，再次保护了栅氧化层。
本实用新型一种SiC VDMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种SiCVDMOSFET器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的SiCSub层（1）、SiCDrift层（2）和JFET区（3）；所述JFET区（3）上设有：P-body区（4），从所述JFET区（3）的顶面向下延伸；NP区（5），从所述P-body区（4）的顶面向下延伸，与所述P-body区（4）的底面设有间距；即P-body区（4）的深度大于NP区（5）的深度；PP区（6），分别形成于所述JFET区（3）中部和P-body区（4）内；所述P-body区（4）内的PP区（6）从NP区（5）顶面向下延伸，并与之连接；欧姆接触层（7），形成于所述JFET区（3）中的PP区（6）顶面上；栅氧化层（8），分别形成于所述NP区（5）、P-body区（4）和PP区（6）的顶面；Poly层（9），形成于所述栅氧化层（8）和欧姆接触层（7）的顶面；隔离介质层（10），包裹在所述栅氧化层（8）和Poly层（9）上，底面与所述NP区（5）连接。
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