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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种沟槽SiC MOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967308U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422072731.9，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种沟槽SiC MOSFET器件是由王正;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：一种沟槽SiCMOSFET器件，涉及半导体技术领域。通过在沟槽一侧形成P+区实现了单边沟槽结构；器件使用时，P+区与SiCDrift层形成的空间耗尽层屏蔽电场，保护栅氧化层，避免栅氧化层的提早失效，并且在沟槽另一侧形成N+区，降低了器件内阻，同时在顶面制备肖特基接触，使器件内部集成了SBD体二极管，从而减小了器件的续流损耗。

本实用新型一种沟槽SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽SiCMOSFET器件，其特征在于，包括从下而上依次设置的N+Sub层（1）、N-Drift层（2）、合金层（10）和正面电极金属层（11）；所述N-Drift层（2）上设有：Pwell区（3），位于所述N-Drift层（2）内；NP区（4），位于所述Pwell区（3）的顶面；P+区（5），从所述NP区（4）的顶面向下延伸至Pwell区（3）的下方，底部设有第一横向延伸部；N+区（6），从所述Pwell区（3）的底面向下延伸，底部设有与第一横向延伸部连接的第二横向延伸部；栅氧化层（7），顶面与所述NP区（4）的顶面齐平，向下依次经过所述NP区（4）、Pwell区（3）和N+区（6）后，在所述N+区（6）的拐角处横向延伸，形成第三横向延伸部；Poly层（8），位于所述栅氧化层（7）的侧部，顶面与所述栅氧化层（7）的顶面齐平，底面与所述栅氧化层（7）的底部连接；隔离介质层（9），从所述NP区（4）的顶面横向延伸，经过所述栅氧化层（7）和Poly层（8）后向下延伸，与所述栅氧化层（7）的第三横向延伸部连接；所述隔离介质层（9）的底面分别与N+区（6）和P+区（5）连接；合金层（10）设置在所述NP区（4）和隔离介质层（9）内；所述隔离介质层（9）内的合金层（10）底面分别与N+区（6）和P+区（5）连接；所述合金层（10）位于Pwell区（3）的下方。

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