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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利提高短路耐压的SiCUMOSFET器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967309U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422072734.2，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型提高短路耐压的SiCUMOSFET器件是由朱秀梅;杨程;裘俊庆;王毅设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本提高短路耐压的SiCUMOSFET器件在说明书摘要公布了：提高短路耐压的SiCUMOSFET器件。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次设置为N+衬底层、N‑外延层、PW区和正面电极金属层；所述PW区通过多个栅极沟槽区的设置，被分隔成若干区域；每个区域的所述PW区上设有：P+区，从所述PW区的顶面中部向下延伸；N+区，从所述PW区的顶面，沿所述P+区的侧部向下延伸；欧姆接触合金，设置在所述P+区中源极沟槽区的内侧壁；所述栅极沟槽区的内侧壁和槽底分别设有栅氧层；所述栅氧层的底面低于PW区的底面；所述栅氧层上通过Poly层填充栅极沟槽区；本实用新型通过在源区引入沟槽结构，抑制了栅氧化层处的峰值电场，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性问题。

本实用新型提高短路耐压的SiCUMOSFET器件在权利要求书中公布了：1.提高短路耐压的SiCUMOSFET器件，其特征在于，包括从下而上依次设置为N+衬底层（1）、N-外延层（2）、PW区（3）和正面电极金属层（13）；所述PW区（3）通过多个栅极沟槽区（4）的设置，被分隔成若干区域；每个区域的所述PW区（3）上设有：P+区（5），从所述PW区（3）的顶面中部向下延伸；N+区（6），从所述PW区（3）的顶面，沿所述P+区（5）的侧部向下延伸；欧姆接触合金（8），设置在所述P+区（5）中源极沟槽区（7）的内侧壁；所述栅极沟槽区（4）的内侧壁和槽底分别设有栅氧层（9）；所述栅氧层（9）的底面低于PW区（3）的底面；所述栅氧层（9）上通过Poly层（10）填充栅极沟槽区（4）；所述PW区（3）上设有多个间隔设置的隔离介质层（11）；所述隔离介质层（11）的底面分别与N+区（6）、栅氧层（9）和Poly层（10）连接；所述隔离介质层（11）的侧部设有与之连接的欧姆接触合金层（12）；所述欧姆接触合金层（12）的底面分别与N+区（6）和P+区（5）连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人扬州扬杰电子科技股份有限公司，其通讯地址为：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。