成都海威华芯科技有限公司林张鸿获国家专利权
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龙图腾网获悉成都海威华芯科技有限公司申请的专利一种氧化镓MOSFET沟道型器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967299U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422007149.4，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型一种氧化镓MOSFET沟道型器件是由林张鸿;黎明;何泽涛;史军;赵炎;冯小涛;万媛;蒲德雄;陈林林;何易;封天皓;张淞;魏小洋;张峻峰;蒲云肖;端政清;胡映文;毛宇;林书勋;甘雨露;甘影;胡江;郑茜;李玮设计研发完成，并于2024-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化镓MOSFET沟道型器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种氧化镓MOSFET沟道型器件，属于半导体技术领域，包括基板以及设在基板上的氧化镓外延层；所述氧化镓外延层上设有漏极金属层、第一层对准标记层、保护环层、P型高掺层、N型高掺层、源极刻孔层、源极金属接触层、栅极刻孔及栅极氧化层、栅极金属接触层、源栅极第一通孔层、第一连接金属层、源栅极第二通孔层、第二连接金属层以及顶层保护层；其中，所述栅极刻孔及栅极氧化层为棋盘矩阵型结构。该器件外延结构采用超宽禁带半导体材料氧化镓，同时结合栅极的特殊设计，对于高功率器件的崩溃电压有显着的提升。
本实用新型一种氧化镓MOSFET沟道型器件在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓MOSFET沟道型器件，其特征在于，包括基板以及设在基板上的氧化镓外延层；所述氧化镓外延层上设有漏极金属层、第一层对准标记层、保护环层、P型高掺层、N型高掺层、源极刻孔层、源极金属接触层、栅极刻孔及栅极氧化层、栅极金属接触层、源栅极第一通孔层、第一连接金属层、源栅极第二通孔层、第二连接金属层以及顶层保护层；其中，所述栅极刻孔及栅极氧化层为棋盘矩阵型结构。
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