深圳市灵明光子科技有限公司谭双强获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市灵明光子科技有限公司申请的专利一种半导体晶圆金属压焊区的键合结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222966139U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421968805.0，技术领域涉及：H01L23/498；该实用新型一种半导体晶圆金属压焊区的键合结构是由谭双强;康杨森;汤为;李爽设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体晶圆金属压焊区的键合结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种半导体晶圆金属压焊区的键合结构，包括二氧化硅层、在二氧化硅层界定的空腔中设置的金属压焊区；二氧化硅层包括设置于半导体晶圆上的二氧化硅基层、由二氧化硅基层向上延伸且位于金属压焊区周侧的二氧化硅延伸层；二氧化硅延伸层包覆金属压焊区的棱边；金属压焊区上方设置有钝化金属层，钝化金属层中的金属是不易被氧化的金属材料；二氧化硅层的上方设置有氮化硅层。本申请中将金属压焊区设置于二氧化硅基层上，并使二氧化硅延伸层包覆金属压焊区的周侧和上端面的棱边，通过在二氧化硅层上设置氮化硅层，并在金属压焊区的上方设置钝化金属层，避免水汽、空气等杂质与金属压焊区接触，提高金属压焊区的键合结构的稳定性。
本实用新型一种半导体晶圆金属压焊区的键合结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆金属压焊区的键合结构，其特征在于，包括二氧化硅层、在所述二氧化硅层界定的空腔中设置的金属压焊区；所述二氧化硅层包括设置于半导体晶圆上的二氧化硅基层、由所述二氧化硅基层向上延伸且位于所述金属压焊区周侧的二氧化硅延伸层；所述二氧化硅延伸层包覆所述金属压焊区的棱边；所述金属压焊区上方设置有钝化金属层，所述钝化金属层中的金属是不易被氧化的金属材料；所述二氧化硅层的上方设置有氮化硅层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市灵明光子科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区桃源街道福光社区留仙大道3370号南山智园崇文园区3号楼1201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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