昇澜半导体(常州)有限公司赵玉垚获国家专利权
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龙图腾网获悉昇澜半导体(常州)有限公司申请的专利一种自偏置压电薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119012895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411076364.8,技术领域涉及:H10N30/87;该发明授权一种自偏置压电薄膜及其制备方法与应用是由赵玉垚;马有草;董超;黄静龙设计研发完成,并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自偏置压电薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种自偏置压电薄膜及其制备方法与应用,所述自偏置压电薄膜包括沿自偏置压电薄膜厚度方向设置的导电部、压电薄膜层与顶电极;所述导电部包括氧化物层,或层叠设置的底电极与氧化物层;所述氧化物层设置于靠近压电薄膜层的一侧;所述氧化物层的材质包括LaNi1+xO3、MgO或SrRuO3中的任意一种或至少两种的组合。本发明通过氧化物层特定材质的选择,在导电部与顶电极之间产生电势差,从而在自偏置压电薄膜内部产生内建电场,获得了自偏压压电薄膜。由于存在自偏压,使用时不再需要预极化处理,能够在低电压下获得理想的位移,有助于进一步缩小电子器件的尺寸与功耗,在电子器件使用过程中也不会出现退极化现象。
本发明授权一种自偏置压电薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了:1.一种自偏置压电薄膜,其特征在于,所述自偏置压电薄膜包括沿自偏置压电薄膜厚度方向设置的导电部、压电薄膜层与顶电极;所述导电部包括氧化物层,或层叠设置的底电极与氧化物层;所述氧化物层设置于靠近压电薄膜层的一侧;所述氧化物层的材质为LaNi1+xO3,其中,x的取值范围为0.05至0.15;所述氧化物层的材质为LaNi1+xO3时,采用镍酸镧靶材直流磁控溅射制备氧化物层;所述镍酸镧靶材中,La、Ni、O的摩尔比为1:1.05-1.15:2.65-2.75。
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