合肥综合性国家科学中心人工智能研究院(安徽省人工智能实验室)沈振雄获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥综合性国家科学中心人工智能研究院(安徽省人工智能实验室)申请的专利磁性系统的模型构建和参数优化方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118737341B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411056961.4,技术领域涉及:G16C60/00;该发明授权磁性系统的模型构建和参数优化方法、设备及存储介质是由沈振雄;何力新设计研发完成,并于2024-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁性系统的模型构建和参数优化方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了:本申请公开了磁性系统的模型构建和参数优化方法、设备及存储介质,涉及磁性材料技术领域,该方法包括:获取磁性系统的哈密顿量参数,其中,哈密顿量参数包括自旋交换相互作用参数、朗道自能参数、各向异性参数和双二次交换相互作用参数,朗道自能参数可用于描述自旋密度涨落,自旋交换相互作用参数包含长程交换相互作用;根据自旋交换相互作用参数和朗道自能参数,分别构建磁性系统的自旋交换相互作用能和朗道自能的表达式;使用自旋交换相互作用能和朗道自能的表达式表示系统总能,构建得到磁性系统的磁性哈密顿量模型。本申请的技术方案能够解决现有描述磁性系统的近邻海森堡模型难以体现磁性材料的自旋密度涨落和长程相互作用的问题。
本发明授权磁性系统的模型构建和参数优化方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了:1.一种磁性系统的模型构建和参数优化方法,其特征在于,所述方法包括:获取磁性系统的哈密顿量参数,所述哈密顿量参数包括自旋交换相互作用参数、朗道自能参数、各向异性参数和双二次交换相互作用参数,其中,所述朗道自能参数用于描述自旋密度涨落,所述自旋交换相互作用参数包含长程交换相互作用;根据所述自旋交换相互作用参数和朗道自能参数,分别构建所述磁性系统的自旋交换相互作用能和朗道自能的表达式,包括:使用所述自旋交换相互作用参数和自旋构型,构建自旋交换相互作用能的表达式: 其中,EJ表示所述自旋交换相互作用能,Jd表示d阶近邻的自旋交换相互作用参数,Si和Sj分别表示第i个和第j个自旋构型,且第i和第j个自旋构型不能是同一个自旋;使用所述朗道自能参数和自旋构型,构建朗道自能的表达式: 其中,EL表示所述朗道自能,Ld表示d阶的朗道自能参数;使用所述各向异性参数和自旋构型,构建各向异性能的表达式: 其中,EA表示各向异性能,A表示各向异性参数;以及,使用双二次交换相互作用参数和自旋构型,构建双二次交换相互作用能的表达式: 其中,EK表示二次交换能,Kd表示d阶近邻的双二次交换相互作用参数;使用所述自旋交换相互作用能和朗道自能的表达式表示所述磁性系统的系统总能,构建得到所述磁性系统的磁性哈密顿量模型,包括:使用所述磁性系统的自旋交换相互作用能、各向异性能、朗道自能和双二次交换相互作用能,构建所述磁性系统的磁性哈密顿量模型:EDFT=E0+EJ+EA+EL+EK其中,EDFT表示所述磁性系统的系统总能,E0表示所述磁性系统的参考态能量,EJ表示自旋交换相互作用能,EA表示各向异性能,EL表示朗道自能,EK表示双二次交换相互作用能;根据随机数翻转法随机翻转磁性系统的自旋数量,分别生成多种自旋构型的数据集合;根据副本交换模拟退火算法,结合所述多种自旋构型的数据集合和所述磁性哈密顿量模型,求解得到所述磁性系统的最优哈密顿量参数。
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