上海积塔半导体有限公司李张文获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967298U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421841624.1，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型半导体结构是由李张文;张晨;刘峰松设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种半导体结构。所述半导体结构包括：半导体衬底、沟槽、场氧化层、源多晶硅、栅氧化层以及多晶硅栅；所述源多晶硅顶面为平滑表面，所述多晶硅栅与所述源多晶硅重叠区域的面积小于预设阈值。本实用新型源多晶硅顶面形成平滑表面，器件有源区的多晶硅栅与源多晶硅重叠区域变小，可以改善源多晶硅断裂缺陷、避免导致IGSS低良问题，同时低成本的降低器件的G‑S重叠耦合面积，减小栅源电容以及栅极充电时间，从而降低器件开关损耗，提升了开关驱动效率。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：半导体衬底；沟槽，自所述半导体衬底表面延伸至所述半导体衬底内部；场氧化层，形成于所述沟槽内壁，所述场氧化层的顶面与所述半导体衬底表面的高度差等于目标高度；源多晶硅，形成于所述沟槽内的所述场氧化层表面，所述源多晶硅顶面为平滑表面且低于所述半导体衬底表面、且所述源多晶硅顶部不存在缺陷形貌；栅氧化层，至少连续分布于所述沟槽侧壁的所述半导体衬底表面和所述源多晶硅表面；以及多晶硅栅，覆盖所述沟槽内的所述栅氧化层并填充满所述沟槽，所述多晶硅栅与所述源多晶硅重叠区域的面积小于预设阈值。
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