成都腾六光电有限公司刘引获国家专利权
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龙图腾网获悉成都腾六光电有限公司申请的专利一种MPCVD腔体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222961539U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421748770.X，技术领域涉及：C23C16/511；该实用新型一种MPCVD腔体结构是由刘引;张光;罗文波;刘欣设计研发完成，并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MPCVD腔体结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种MPCVD腔体结构，包括底板和支撑在底板上的可调支撑件，所述底板的上表面设置有下壳体，所述可调支撑件可调节地将上壳体悬置在所述下壳体的上方，从而所述下壳体能够与所述上壳体相配合地构建出沉积生长腔室；在所述下壳体内设置有沉积生长台座，并且所述沉积生长台座的外侧还套设有遮挡环套，所述遮挡环套按照能够相对于与其共轴布设的所述沉积生长台座发生绕轴旋转的方式可转动地安装在所述下壳体的内底面上。本实用新型能够以环绕沉积生长台座的方式向台面上的籽晶摆放矩阵输送由外向内蔓延的氧气来减缓边缘籽晶的生长增厚速率的同时提升生成的金刚石质量。
本实用新型一种MPCVD腔体结构在权利要求书中公布了：1.一种MPCVD腔体结构，包括底板1和支撑在底板1上的可调支撑件2，其特征在于，所述底板1的上表面设置有下壳体3，所述可调支撑件2可调节地将上壳体4悬置在所述下壳体3的上方，从而所述下壳体3能够与所述上壳体4相配合地构建出沉积生长腔室；在所述下壳体3内设置有沉积生长台座5，并且所述沉积生长台座5的外侧还套设有遮挡环套6，所述遮挡环套6按照能够相对于与其共轴布设的所述沉积生长台座5发生绕轴旋转的方式可转动地安装在所述下壳体3的内底面上。
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