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龙图腾网获悉上海一本芯半导体科技有限公司申请的专利沟槽型功率MOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967302U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421660753.0，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型沟槽型功率MOS器件是由潘仁杰;田柏冠;郑轩志设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽型功率MOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种沟槽型功率MOS器件，其P型阱区上部内且位于沟槽的周边具有N型重掺杂源极区，所述沟槽内具有一栅极柱，此栅极柱包括位于上部的宽子柱和位于宽子柱下方的窄子柱，所述栅极柱的宽子柱侧表面与沟槽上部内壁之间具有一二氧化硅层，所述栅极柱的窄子柱侧表面与沟槽下部内壁之间具有一P型重掺杂区，所述P型重掺杂区的上表面位于P型阱区的下表面的下方；位于相邻所述器件单胞的P型阱区之间的N型外延层内具有一N型重掺杂深注入部，此N型重掺杂深注入部的上端与N型外延层齐平，N型重掺杂深注入部的下端延伸至N型外延层的下部。本实用新型沟槽型功率MOS器件提升了MOS器件响应速度，从而改善了器件的开关能力，也提高器件整体耐压能力。

本实用新型沟槽型功率MOS器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽型功率MOS器件，其特征在于：包括：N型重掺杂碳化硅衬底（1）和位于N型重掺杂碳化硅衬底（1）上的N型外延层（2），所述N型外延层（2）上包括至少2个器件单胞（13），所述N型重掺杂碳化硅衬底（1）与N型外延层（2）相背的表面具有一下金属电极层（3）；所述器件单胞（13）进一步包括：位于N型外延层（2）上部的P型阱区（4）和位于P型阱区（4）内的沟槽（5），此沟槽（5）延伸至N型外延层（2）内，所述P型阱区（4）上部内且位于沟槽（5）的周边具有N型重掺杂源极区（8），所述沟槽（5）内具有一栅极柱（6），此栅极柱（6）包括位于上部的宽子柱（61）和位于宽子柱（61）下方的窄子柱（62），所述栅极柱（6）的宽子柱（61）侧表面与沟槽（5）上部内壁之间具有一二氧化硅层（7），所述栅极柱（6）的窄子柱（62）侧表面与沟槽（5）下部内壁之间具有一P型重掺杂区（11），所述P型重掺杂区（11）的上表面位于P型阱区（4）的下表面的下方；位于相邻所述器件单胞（13）的P型阱区（4）之间的N型外延层（2）内具有一N型重掺杂深注入部（12），此N型重掺杂深注入部（12）的上端与N型外延层（2）齐平，N型重掺杂深注入部（12）的下端延伸至N型外延层（2）的下部；一绝缘介质层（9）位于沟槽（5）上方并覆盖栅极柱（6）上，一上金属电极层（10）位于所述绝缘介质层（9）、N型重掺杂源极区（8）上方且与绝缘介质层（9）、N型重掺杂源极区（8）各自上表面接触。

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