台湾积体电路制造股份有限公司蔡仲恩获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967313U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421597635.X，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型半导体装置结构是由蔡仲恩;翁圣勋;李承翰;马志宇;张世杰设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置结构在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例提供了一种半导体装置结构。在一实施例中，半导体装置结构包含第一源极漏极部件及第二源极漏极部件、多个半导体层，垂直地堆叠且设置于第一源极漏极部件与第二源极漏极部件之间、栅极电极层，围绕每个半导体层的一部分以及界面层，设置于栅极电极层与半导体层的一者之间，其中半导体层的最顶半导体层具有第一长度，且界面层具有大于第一长度的第二长度。
本实用新型半导体装置结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：一第一源极漏极部件及一第二源极漏极部件；多个半导体层，垂直地堆叠且设置于该第一源极漏极部件与该第二源极漏极部件之间；一栅极电极层，围绕每个半导体层的一部分；以及一界面层，设置于该栅极电极层与多个所述半导体层的一者之间，其中多个所述半导体层的一最顶半导体层具有一第一长度，且该界面层具有大于该第一长度的一第二长度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号