台湾积体电路制造股份有限公司沈科翰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967314U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421598958.0，技术领域涉及：H10D84/85；该实用新型封装结构是由沈科翰;陈志源;吴钧;郭鸿毅;李忠儒;周东和;崔骥;余国宠;余振华;谢政杰;连于仁;郭彦良;曾士豪;王仁佑;周子杰设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构在说明书摘要公布了：一种封装结构，包括一第一封装结构以及一第二封装结构。第一封装结构包括形成在一第一基底上方的一第一装置。此第一装置包括连接到形成在第一基底中的一基底通孔结构的一第一导电插塞。一缓冲层围绕第一基底，且一第一接合层形成在第一基底和缓冲层的上方。第二封装结构包括形成在一第二基底上方的第二装置，以及形成在第二装置上方的一第二接合层。一混合接合结构位于第一封装结构与第二封装结构之间，通过将第一接合层接合至第二接合层而形成。
本实用新型封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括：一第一封装结构，其中该第一封装结构包括：一第一装置，形成在一第一基底上方，其中该第一装置包括一第一导电插塞，该第一导电插塞连接到形成在该第一基底中的一基底通孔结构；一缓冲层，围绕该第一基底；和一第一接合层，形成于该第一基底和该缓冲层的上方；以及一第二封装结构，其中该第二封装结构包括：一第二装置，形成在一第二基底上方；和一第二接合层，形成在该第二装置的上方；以及一混合接合结构，通过将该第一接合层接合至该第二接合层而形成，并位于该第一封装结构与该第二封装结构之间。
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