中国科学院长春光学精密机械与物理研究所宋悦获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利百纳米级光子晶体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118859640B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410901676.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权百纳米级光子晶体的制备方法是由宋悦;刘基顺;陈泳屹;沙宏博;石孟杰;王玉冰;梁磊;贾鹏;邱橙;雷宇鑫;秦莉;王立军设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本百纳米级光子晶体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光子晶体制备领域，尤其涉及一种百纳米级光子晶体的制备方法，包括：S1.在衬底片上制备硬掩模，在硬掩模上均匀涂覆正性光刻胶，硬掩模的厚度小于等于正性光刻胶的厚度；S2.使用紫外泰伯光刻机配合一维光栅掩模版对正性光刻胶进行多次欠曝光，再对多次欠曝光后的正性光刻胶进行后烘和显影，通过多次欠曝光的叠加，将一维光栅掩模版的图案变成正性光刻胶的预期图形；S3.对硬掩模进行刻蚀，将正性光刻胶的预期图形转移到硬掩模上，得到预期晶格形状的光子晶体。本方法将传统的一次曝光改变为多次泰伯欠曝光，每次欠曝光调整掩模版的角度，实现掩模版图案与光子晶体图形的一对多，从而提高图案的灵活度、降低了制备和研发成本。
本发明授权百纳米级光子晶体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种百纳米级光子晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1.在衬底片上制备硬掩模，在所述硬掩模上均匀涂覆正性光刻胶；其中，所述硬掩模的厚度小于等于所述正性光刻胶的厚度；S2.使用紫外泰伯光刻机配合一维光栅掩模版对所述正性光刻胶进行N次欠曝光，再对N次欠曝光后的正性光刻胶进行后烘和显影，每次欠曝光时，一维光栅掩模版旋转预设角度，通过N次欠曝光的叠加，将所述一维光栅掩模版的图案变成所述正性光刻胶的预期图形；其中，N≥2；S3.对所述硬掩模进行刻蚀，将所述正性光刻胶的预期图形转移到所述硬掩模上，得到预期晶格形状的光子晶体。
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