台湾积体电路制造股份有限公司陈顗伊获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222966132U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421564922.0，技术领域涉及：H01L23/48；该实用新型半导体装置是由陈顗伊;卢麒友;陈志良;田丽钧设计研发完成，并于2024-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种半导体装置，包括第一垂直场效晶体管及第二垂直场效晶体管，所述第一垂直场效晶体管具有第一漏极源极区及第二漏极源极区，所述第二垂直场效晶体管具有第三漏极源极区及第四漏极源极区。所述装置包括第一电源接触件、第二电源接触件以及接触件，所述第一电源接触件位于所述装置的前侧上且耦合到第一漏极源极区，所述第二电源接触件位于所述装置的前侧上且耦合到第三漏极源极区，所述接触件位于所述装置的背侧上且耦合到第二漏极源极区及第四漏极源极区，由此减小垂直场效晶体管装置的面积、增大栅极密度及减少金属层耦合。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一垂直场效晶体管，具有第一漏极源极区及第二漏极源极区；第二垂直场效晶体管，具有第三漏极源极区及第四漏极源极区；第一电源接触件，位于所述装置的前侧上且耦合到所述第一漏极源极区；第二电源接触件，位于所述装置的所述前侧上且耦合到所述第三漏极源极区；以及接触件，位于所述装置的背侧上且耦合到所述第二漏极源极区及所述第四漏极源极区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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