宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司刘彦鹏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请的专利改善重掺砷D字条纹的拉晶方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118639313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410854832.3，技术领域涉及：C30B15/20；该发明授权改善重掺砷D字条纹的拉晶方法是由刘彦鹏;王黎光;芮阳;伊冉;刘洁;王忠保;白园;赵娜设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本改善重掺砷D字条纹的拉晶方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善重掺砷D字条纹的拉晶方法，涉及单晶硅拉晶技术领域，通过控制晶体的生长速率、固液界面的温度梯度及冷却速度，使得热传导沿着径向方向传输均匀，晶体生长过程中固液界面平坦，从而消除D字条纹，提升器件端的正品率。
本发明授权改善重掺砷D字条纹的拉晶方法在权利要求书中公布了：1.一种改善重掺砷D字条纹的拉晶方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1、在单晶炉热场中，降低上保断热材为预定厚度进行拉晶，以减小固液界面的横向温度梯度，消除拉晶前期的D字条纹；S2、在等径过程中，使用第一预定拉速进行晶棒拉制，并控制晶棒的转速稳定在预定晶转内转动，其中，液口距保持为预定值，以控制晶体的生长速度，使晶体生长过程中固液界面平坦，D字条纹被消除，所述第一预定拉速为1.2~1.3mmmin；S3、在冷却过程中，使用第二预定拉速将晶棒拉至冷却室中冷却，以加快冷却速度，使D字条纹进一步被聚集消除。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，其通讯地址为：750000 宁夏回族自治区银川市经济技术开发区光明西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号