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龙图腾网获悉上海一本芯半导体科技有限公司申请的专利碳化硅场效应晶体管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967304U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421524639.5，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型碳化硅场效应晶体管是由潘仁杰;田柏冠;郑轩志设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅场效应晶体管在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种碳化硅场效应晶体管，包括：N型重掺杂碳化硅衬底和位于N型重掺杂碳化硅衬底上的N型外延层，所述N型重掺杂碳化硅衬底与N型外延层相背的表面具有一下金属电极层；位于N型重掺杂源极区内与沟槽相背的一侧具有一第二沟槽，此第二沟槽内填充有一N型重掺杂部，第二沟槽与N型重掺杂源极区之间具有一N型注入部，所述N型重掺杂部、N型注入部、N型重掺杂源极区间隔分布，所述第二沟槽下端位于N型外延层内，所述N型注入部位于P型阱区的中部；一绝缘介质层位于沟槽上方并覆盖栅极柱上。本实用新型碳化硅场效应晶体管有利于抑制MOS器件在关闭状态下源极漏极间的漏电流，从而降低了MOS器件的静态损耗，提高了器件的可靠性。

本实用新型碳化硅场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅场效应晶体管，其特征在于：包括：N型重掺杂碳化硅衬底（1）和位于N型重掺杂碳化硅衬底（1）上的N型外延层（2），所述N型重掺杂碳化硅衬底（1）与N型外延层（2）相背的表面具有一下金属电极层（3）；所述N型外延层（2）的上部具有一P型阱区（4），一位于P型阱区（4）内的沟槽（5）延伸至N型外延层（2）内，所述P型阱区（4）上部内且位于沟槽（5）的周边具有N型重掺杂源极区（8），所述沟槽（5）内具有一栅极柱（6）；位于N型重掺杂源极区（8）内与沟槽（5）相背的一侧具有一第二沟槽（13），此第二沟槽（13）内填充有一N型重掺杂部（12），第二沟槽（13）与N型重掺杂源极区（8）之间具有一N型注入部（11），所述N型重掺杂部（12）、N型注入部（11）、N型重掺杂源极区（8）间隔分布，所述第二沟槽（13）下端位于N型外延层（2）内，所述N型注入部（11）位于P型阱区（4）的中部；一绝缘介质层（9）位于沟槽（5）上方并覆盖栅极柱（6）上，一上金属电极层（10）位于所述绝缘介质层（9）、N型重掺杂源极区（8）上方且与绝缘介质层（9）、N型重掺杂源极区（8）各自上表面接触。

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