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龙图腾网获悉扬州赛诺高德电子科技有限公司申请的专利一种高导热的5G混合金属基板获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222967134U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421427209.1，技术领域涉及：H05K1/02；该实用新型一种高导热的5G混合金属基板是由王文涛;王世权;王友春;张亮旗设计研发完成，并于2024-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高导热的5G混合金属基板在说明书摘要公布了：本实用新型属于散热基板领域，尤其是一种高导热的5G混合金属基板，针对现有的在对基板上的电子元件导热散热时，只能够实现电子元件底部的快速散热，且电子元件的顶部得不到导热快速散热，导致电子元件整体依然存在散热效果不明显的现象，降低了整体的散热性问题，现提出如下方案，包括散热底金属板，所述散热底金属板的顶侧设置有底层基板，散热机构，散热机构设置在顶层基板的顶部用于对电子元件进行高效散热。本实用新型在使用时，可将接收的热量高效快速的散发到周围空气中，从而实现了对电子元件顶部导热快速散热的目的，防止电子元件整体依然存在散热效果不明显的现象，进一步增强了散热效率，提高了整体的散热性。

本实用新型一种高导热的5G混合金属基板在权利要求书中公布了：1.一种高导热的5G混合金属基板，其特征在于，包括：散热底金属板（1），所述散热底金属板（1）的顶侧设置有底层基板（2），所述底层基板（2）的顶侧设置有顶层基板（3），所述顶层基板（3）的顶侧压合有铜箔层，铜箔层的表面经过蚀刻隔断留有多个用于贴片焊接的元件焊接区，每个元件焊接区上均焊接有电子元件（4）；散热机构，散热机构设置在顶层基板（3）的顶部用于对电子元件（4）进行高效散热；所述散热机构包括多个散热片（8），每个所述散热片（8）均与电子元件（4）相对应，所述电子元件（4）的顶侧表面设置有与散热片（8）底侧相接触的导热硅脂，所述散热片（8）的两侧固定设置有安装板；所述顶层基板（3）的顶部设置有多个支撑块（9），多个所述支撑块（9）均分为多组，每组所述支撑块（9）均设置于安装板的底部，每个所述支撑块（9）的顶侧均开设有供安装板限位卡接的限位槽（13）；每个所述限位槽（13）的内壁底侧均设置有两个磁铁（14），每个安装板的底侧均设置有两个与磁铁（14）相吸附的铁片（15）。

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