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龙图腾网获悉深圳吉华微特电子有限公司申请的专利一种双沟槽结构的高压MOSFET器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118645531B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410739708.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种双沟槽结构的高压MOSFET器件及制造方法是由张熠鑫;苏晓山;宋炟;张雨欣;贾国;刘少博;任强设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双沟槽结构的高压MOSFET器件及制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双沟槽结构的高压MOSFET器件及制造方法，高压MOSFET器件包括依次层叠设置的N+衬底、第一N‑外延层、第二N‑外延层、P+掩蔽层、第一Trench槽、源极、N+层、绝缘层、金属层，第一Trench槽的两侧分别设置有Pwell区，且两个Pwell区两侧还分别设置有第二Trench槽，Pwell区的一端连接有第二N‑外延层和P+掩蔽层，另一端连接有N+层和金属层，两个第二Trench槽远离Pwell区的两侧还设置有栅极，栅极和源极的成分均包括多晶硅。通过设置双沟槽，采用P+掩蔽和引入多晶硅的方式，实现了300V以上的耐压等级，在降低设计尺寸和生产成本的同时，使得主要参数性能与原有设计相当；源极内的多晶硅起到改善电场结构的作用，使原本纵向的电场产生了横向的电场分量，进而提升了产品的耐压能力。

本发明授权一种双沟槽结构的高压MOSFET器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种双沟槽结构的高压MOSFET器件，其特征在于，包括依次层叠设置的N+衬底、第一N-外延层、第二N-外延层、P+掩蔽层、第一Trench槽、源极、N+层、绝缘层、金属层，所述第一Trench槽的两侧分别设置有Pwell区，且两个所述Pwell区远离所述第一Trench槽的两侧还分别设置有第二Trench槽，所述Pwell区的一端连接有所述第二N-外延层和所述P+掩蔽层，另一端连接有所述N+层和所述金属层，两个所述第二Trench槽远离所述Pwell区的两侧还设置有栅极，所述栅极还与所述绝缘层连接，所述栅极和所述源极的成分均包括多晶硅；且通过如下步骤制造双沟槽结构的高压MOSFET器件：S1、在N+衬底上通过外延生长依次制备第一N-外延层和第二N-外延层；S2、在所述第二N-外延层通过SiO2硬掩模、光刻刻蚀的方式形成第一Trench槽；S3、在所述第一Trench槽内采用离子注入、热氧化推结的方式形成P+掩蔽层和氧化层；S4、将所述氧化层作为硬掩膜，利用光刻刻蚀的方式形成第二Trench槽；S5、利用化学气相沉积法对所述第一Trench槽、第二Trench槽进行多晶硅填充，并采用原位掺杂工艺，从而同步实现多晶硅的掺杂，形成主要成分为多晶硅的源极和栅极，再采用CMP的方式去除表面的多晶硅，进行大面积的离子注入、热氧化推结，形成Pwell区；S6、在所述第二N-外延层上进行大面积的离子注入形成N+层，并采用退火方式激活杂质；S7、在所述第二N-外延层上利用化学气相沉积的方式进行绝缘层的生长；S8、在所述绝缘层的表面沉淀形成金属层，其中，采用光刻的方式实现源极窗口，采用湿法腐蚀的方式去除所述绝缘层和所述氧化层相应的厚度，再利用干法刻蚀的方式同步去除多晶硅，实现接触孔浅槽结构，所述接触孔连接所述金属层；采用背面减薄工艺，在所述N+衬底上的背面蒸镀Ti-Ni-Ag结构层。

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