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龙图腾网获悉环晟光伏(江苏)有限公司申请的专利双面TOPCon电池结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118448477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410581621.7，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权双面TOPCon电池结构及其制备方法是由伏进文;杜文轩;季勇健设计研发完成，并于2024-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本双面TOPCon电池结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种双面TOPCon电池结构及其制备方法，具体涉及太阳能电池制备技术领域。所述双面TOPCon电池结构包括硅基底，所述硅基底的背面由内向外依次设置有第一隧穿氧化层、第一多晶硅层、第一钝化层、第一减反射层和第一金属电极；所述硅基底的正面设置有金属区和非金属区；所述金属区由内向外依次设置有第二隧穿氧化层、第二多晶硅层、第二钝化层、第二减反射层和第二金属电极；所述非金属区由内向外依次设置有硼扩散发射极层、第二钝化层和第二减反射层。本发明提供的双面TOPCon电池结构，在硅基底两面均设置有多晶硅层，降低太阳能电池的金属化接触复合，提升电池的i‑VOC，提升电池片效率。

本发明授权双面TOPCon电池结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双面TOPCon电池结构，其特征在于，包括硅基底；所述硅基底的背面由内向外依次设置有第一隧穿氧化层、第一多晶硅层、第一钝化层、第一减反射层和第一金属电极；所述硅基底的正面设置有金属区和非金属区；所述金属区由内向外依次设置有第二隧穿氧化层、第二多晶硅层、第二钝化层、第二减反射层和第二金属电极；所述非金属区由内向外依次设置有硼扩散发射极层、第二钝化层和第二减反射层；所述的双面TOPCon电池结构的制备方法，包括以下步骤：对双面制绒的硅基体正面经PECVD沉积BSG层，所述BSG层的厚度为60nm~140nm；继续采用激光面扫面将所述BSG层中的硼推进到硅集体中形成浅掺区进而得到PN结，所述浅掺区的表面浓度为1×1018cm-3~2×1018cm-3，方阻为190Ω~230Ω；然后依次制备第二隧穿氧化层、第二多晶硅层；最后采用激光氧化工艺在第二多晶硅层制备一层掩膜，然后继续制备第一隧穿氧化层、第一多晶硅层，得到电池半成品；对所述电池半成品进行退火处理，然后分别在背面和正面制备第一钝化层、第二钝化层、第一减反射层、第二减反射层，最后制备第一金属电极和第二金属电极，得到双面TOPCon电池。

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