广西科技大学方志杰获国家专利权
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龙图腾网获悉广西科技大学申请的专利一种低氧化锡含量的氧化铟锡靶材及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118495924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410510494.1，技术领域涉及：C04B35/01；该发明授权一种低氧化锡含量的氧化铟锡靶材及其制备方法是由方志杰;莫曼;谭泽旦;姜峰;黄誓成;王凯;曾纪术;王永清设计研发完成，并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低氧化锡含量的氧化铟锡靶材及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低氧化锡含量的氧化铟锡靶材及其制备方法，属于靶材技术领域。制备方法包括混料、球磨、成型、脱脂、烧结等步骤。本发明通过降低氧化铟锡靶材中氧化锡的含量，可以有效避免低氧化锡含量的氧化铟锡靶材中SnO2、In4Sn3O12等第二相的出现，从而防止相界缺陷增多，进而使所得低氧化锡含量的氧化铟锡靶材具有较低的电阻率和优异的导电性。并且，本发明通过对烧结温度和烧结时间进行调控，可以使低氧化锡含量的氧化铟锡靶材仍然具有较高的相对密度，低氧化锡含量的氧化铟锡靶材的性能能够得到有效保证。
本发明授权一种低氧化锡含量的氧化铟锡靶材及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低氧化锡含量的氧化铟锡靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将氧化铟粉体和氧化锡粉体按93:7~97:3的质量比混合，得到混合料；S2：对混合料进行球磨，然后喷雾造粒，得ITO前驱体；S3：采用模压结合冷等静压的方式对ITO前驱体进行成型，得ITO靶材生坯；模压的压力为60MPa，保压时间为1~3min；冷等静压的压力为250MPa，保压时间为8~12min；S4：对ITO靶材生坯进行脱脂，然后将脱脂后的ITO靶材生坯升温至1505~1605℃的终温，保温烧结6~12h，即得；ITO靶材生坯的脱脂工艺为：在空气气氛中将ITO靶材生坯以0.5~1℃min的升温速率升温至550~650℃，保温40~60h。
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