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龙图腾网获悉环晟光伏(江苏)有限公司申请的专利一种硼掺杂硅片的边缘BSG层的去除方法、硼掺杂硅片及Topcon电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118367059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410461423.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种硼掺杂硅片的边缘BSG层的去除方法、硼掺杂硅片及Topcon电池是由蒋富辉;马擎天;陈曙鑫;叶文兰设计研发完成，并于2024-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硼掺杂硅片的边缘BSG层的去除方法、硼掺杂硅片及Topcon电池在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硼掺杂硅片的边缘BSG层的去除方法、硼掺杂硅片及Topcon电池。所述去除方法具体包括以下步骤：将硼掺杂硅片的边缘的BSG绕镀层通过激光进行切割，得到去除边缘BSG层的硼掺杂硅片。本发明所述去除方法不仅减少去BSG清洗循环次数，减少化学品用量，降低正面过刻风险；且去除边缘BSG残留风险，减少成品漏电比例，降低制造成本；特别地，激光划片光束能量密度高，划加工是非接触式的，对硅片本身无明显碰撞接触，硅片不易损坏破损。

本发明授权一种硼掺杂硅片的边缘BSG层的去除方法、硼掺杂硅片及Topcon电池在权利要求书中公布了：1.一种硼掺杂硅片的边缘BSG层的去除方法，其特征在于，所述去除方法具体包括以下步骤：将硼掺杂硅片的边缘的BSG绕镀层通过激光进行切割，得到去除边缘BSG层的硼掺杂硅片；所述激光的移速为200~1000mms；所述激光的功率为5~25W；所述激光的切割次数为5~20次；所述硼掺杂硅片由以下步骤制备得到：（a）对硅基体的双面进行制绒，得到具有绒面的硅基体；其中，所述制绒具体包括以下步骤：采用碱液对所述硅基体的正面和背面进行清洗，以在所述硅基体的正面和背面形成绒面；所述碱液包括：0.1~1%的碱性物质、0.05~0.2%的缓冲剂、0.05~0.2%的稳定剂、0.01~0.06%的分散剂和0.01~0.06%的表面活性剂；所述碱性物质选自氢氧化钠，所述缓冲剂选自酒石酸钠，所述稳定剂选自2-氨基-2-甲基-1-丙醇，所述分散剂选自木质素磺酸钠，所述表面活性剂选自十二烷基苯磺酸钠；所述清洗的温度为70~80℃，所述清洗的时间为150~450s；（b）采用PECVD沉积工艺在所述具有绒面的硅基体的表面沉积BSG层；所述PECVD沉积工艺具体包括以下步骤：采用PECVD沉积工艺，向硅基体通入N2O、SiH4、B2H6和H2，沉积形成所述BSG层；所述N2O与SiH4之间的流量比为5~9:1；所述B2H6与SiH4之间的流量比为4~10:1；（c）采用高温推进将BSG层中硼源推进到基体中形成掺杂区。

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