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龙图腾网获悉深圳市埃芯半导体科技有限公司申请的专利X射线的测量方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118329941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410355264.2，技术领域涉及：G01N23/20091；该发明授权X射线的测量方法、装置、电子设备及存储介质是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本X射线的测量方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了X射线的测量方法、装置、电子设备及存储介质，测量方法应用于X射线衍射仪，包括：获取预设复色光源的X射线能量谱、X射线光强度比例及扫描步长和角度分辨率，预设复色光源包括至少2个特征辐射波长；采用扫描步长照射待测样品的至少2个衍射晶面，确定各衍射晶面的晶面衍射谱；基于各X射线光强度比例和与特征辐射波长对应的模拟晶面衍射谱，确定各衍射晶面的加权晶面衍射谱；基于角度分辨率和各加权晶面衍射谱，通过可变卷积确定各加权晶面衍射谱的展宽晶面衍射谱；基于晶面衍射谱和展宽晶面衍射谱，通过至少一种搜索样品参数空间的方法确定待测样品的预设样品参数；降低了扫描样品的时长，提高了解析样品的结构信息的准确度。

本发明授权X射线的测量方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种X射线的测量方法，其特征在于，应用于X射线衍射仪，包括：获取预设复色光源的X射线能量谱、X射线光强度比例及扫描步长和X射线衍射仪的角度分辨率，其中，所述预设复色光源包括至少2个特征辐射波长；基于所述预设复色光源采用所述扫描步长照射待测样品的至少2个衍射晶面，确定各所述衍射晶面对应的X射线的晶面衍射谱，其中，各所述衍射晶面包括至少1个非对称衍射晶面；基于各所述X射线光强度比例和与所述特征辐射波长对应的模拟晶面衍射谱，确定各所述衍射晶面对应的加权晶面衍射谱；基于所述角度分辨率和各所述加权晶面衍射谱，通过可变卷积确定各所述加权晶面衍射谱对应的展宽晶面衍射谱；基于各所述晶面衍射谱和各所述展宽晶面衍射谱，通过至少一种搜索样品参数空间的方法确定所述待测样品的预设样品参数；所述可变卷积的计算式为： 其中，hx为所述展宽晶面衍射谱；fx为基于变量x的所述加权晶面衍射谱；gx,μ,σ为高斯函数；μ为所述高斯函数的中心值；σ为所述高斯函数的标准差，σx＝ax2+bx+c，a、b、c均为系数；ft为基于变量t的所述加权晶面衍射谱，为卷积运算符。

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