湖南省拓道新材料科技有限公司肖琼获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南省拓道新材料科技有限公司申请的专利一种SiC-TiC复相陶瓷及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117964372B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311835968.1，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种SiC-TiC复相陶瓷及其制备方法和应用是由肖琼;王在峰;卢天平;李延星设计研发完成，并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种SiC-TiC复相陶瓷及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种SiC‑TiC复相陶瓷及其制备方法和应用。该方法是将氮化硅、炭黑和金属钛混合，加入溶剂和球磨介质经混料、球磨、干燥、过筛，得到混合粉体；将混合粉体在100～300MPa冷等静压压制成型，得到陶瓷素坯；在坩埚内表面刷上一层BN，将陶瓷素坯放入坩埚，真空条件下，升温至1500～1600℃保温，再升温至1800～1900℃保温，制得SiC‑TiC复相陶瓷。本发明的SiC‑TiC复相陶瓷在室温下的维式硬度为25～30GPa，断裂韧性为3～5MPa·m12，抗弯强度为450～650MPa。
本发明授权一种SiC-TiC复相陶瓷及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种SiC-TiC复相陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤：S1.将氮化硅、炭黑和金属钛混合，加入溶剂和球磨介质经混料、球磨、干燥、过筛，得到混合粉体；所述氮化硅:炭黑:金属钛的摩尔比为0.8～1:3～5:1～3；S2.将混合粉体在100～300MPa冷等静压压制成型，得到陶瓷素坯；S3.在坩埚内表面刷上一层BN，将陶瓷素坯放入坩埚，真空条件下，升温至1500～1600℃保温，再升温至1800～1900℃保温，制得SiC-TiC复相陶瓷。
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