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龙图腾网恭喜山东浪潮华光光电子股份有限公司申请的专利一种亮度自适应发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117253900B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311267535.0，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权一种亮度自适应发光二极管及其制备方法是由吴向龙;闫宝华;王成新设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种亮度自适应发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种亮度自适应发光二极管及其制备方法，二极管包括衬底，衬底下侧设置有背金电极，衬底上一侧设置有绝缘层、键合层，键合层一侧设置有电流扩展层、P型欧姆接触层、多量子阱层、N型欧姆接触层和N型欧姆接触金属，键合层另一侧设置有P型欧姆接触金属；衬底另一侧内置有P+区，P+区两侧分别设置有N+区，衬底上对应设置有光敏二极管正极和光敏二极管负极，器件上侧设置有DBR层，光敏二极管正极、N型欧姆接触金属和P型欧姆接触金属上侧的DBR层开设有电极窗口，光敏二极管正极和N型欧姆接触金属通过焊线电极连接，P型欧姆接触金属通过电极窗口连接有焊线电极。本发明能够根据周围的环境亮度变化，自动调节发光二极管的亮度。

本发明授权一种亮度自适应发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种亮度自适应发光二极管，其特征在于，包括衬底，衬底下侧设置有背金电极，衬底上一侧依次设置有绝缘层、键合层和电流扩展层，电流扩展层上一侧依次设置有P型欧姆接触层、多量子阱层和N型欧姆接触层，P型欧姆接触层、多量子阱层和N型欧姆接触层共同组成LED外延片，N型欧姆接触层上设置有N型欧姆接触金属，电流扩展层上另一侧设置有P型欧姆接触金属，绝缘层、键合层、电流扩展层、P型欧姆接触层、多量子阱层、N型欧姆接触层、N型欧姆接触金属和P型欧姆接触金属组成LED芯片；衬底上另一侧内置有P+区，P+区两侧分别设置有N+区，衬底上对应设置有光敏二极管正极和光敏二极管负极，P+区、N+区、光敏二极管正极和光敏二极管负极组成光敏二极管，光敏二极管和LED芯片上均设置有DBR层，光敏二极管正极和光敏二极管负极通过DBR层分隔，LED外延片与P型欧姆接触金属之间通过DBR层分隔，光敏二极管正极、N型欧姆接触金属和P型欧姆接触金属上侧的DBR层开设有电极窗口，光敏二极管正极和N型欧姆接触金属通过焊线电极连接，P型欧姆接触金属通过电极窗口连接有焊线电极。

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