恭喜武汉利之达科技股份有限公司张树强获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉利之达科技股份有限公司申请的专利一种碳化硅多孔陶瓷雾化芯制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117209284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311255266.6，技术领域涉及：C04B35/565；该发明授权一种碳化硅多孔陶瓷雾化芯制备方法是由张树强;黄卫军;刘松坡设计研发完成，并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅多孔陶瓷雾化芯制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅多孔陶瓷雾化芯制备方法，通过本发明制备方法获得的碳化硅多孔陶瓷雾化芯在保持适当孔隙率的前提下，还能够保持较好的导油速率和吸油性能，不掉粉；并且制备方法环保，获得的雾化芯导热性能良好。
本发明授权一种碳化硅多孔陶瓷雾化芯制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅多孔陶瓷雾化芯制备方法，所述方法包括如下步骤：（1）将直径为50-60um的碳化硅颗粒和直径10-20um的碳化硅颗粒混合，在碳化硅混合颗粒中加入粘结剂，搅拌混合均匀；（2）将步骤（1）中获得的混合原料倒入模具进行热压处理，获得成型料胚，热压温度为100-300℃；（3）将步骤（2）中热压处理的料胚转移到高温炉中烧结，得到多孔陶瓷，烧结温度为600-800℃；（4）将获得的多孔陶瓷放入醋酸溶液中进行清洗、干燥，得到碳化硅多孔陶瓷雾化芯；（5）将步骤（4）获得的碳化硅多孔陶瓷雾化芯置于表面活性剂溶液中超声浸渍5-10min，然后干燥，获得亲油碳化硅多孔陶瓷雾化芯；所述表面活性剂为三丁基甲基氯化铵、烷基苯磺酸钠、十二醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、硬脂酰胺中的一种或多种；所述直径为50-60um的碳化硅颗粒和直径为10-20um的碳化硅颗粒重量比为30:70-70:30。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉利之达科技股份有限公司，其通讯地址为：430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区武大园四路1号-1、2号国家地球空间信息产业基地五期武大慧园2、3栋2单元3层04室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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