恭喜江西乾照光电有限公司霍丽艳获国家专利权
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龙图腾网恭喜江西乾照光电有限公司申请的专利一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116632138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310906428.1，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片是由霍丽艳;滕龙;吴洪浩;崔晓慧;刘兆设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片在说明书摘要公布了：本发明提供一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片，通过设置由若干二维的AlN子层周期性交替生长而成的空穴传导层，且在空穴传导层中引入碱土金属元素Mg、Ca、Zn、Sr掺杂，使二维AlN子层实现P掺杂，提供空穴，同时由于磁性粒子的引入，可以在AlN结构中引入浅受主杂质能级，由于浅受主杂质能级的引入，更有利于空穴电离和传导，从而提高深紫外LED的发光效率。
本发明授权一种深紫外LED外延片、外延生长方法及LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种深紫外LED外延片，其特征在于，包括空穴传导层，所述空穴传导层由若干二维的AlN子层周期性交替生长而成，其中，空穴传导层为未掺杂的AlN子层、掺杂Mg的AlN子层、掺杂Ca的AlN子层、掺杂Zn的AlN子层、掺杂Sr的AlN子层中任意两层、三层、四层或者五层周期性交替生长而成的复合结构，共生长10个周期；或者，所述空穴传导层为未掺杂的AlN子层和掺杂Mg、Ca、Zn、Sr中的任意几种的组合的AlN子层周期性交替生长而成的复合结构，共生长10个周期；所述深紫外LED外延片还包括衬底、AlGaN缓冲层、非掺杂AlGaN、N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN层以及P型接触层；所述AlGaN缓冲层、所述非掺杂AlGaN、所述N型AlGaN层、所述多量子阱层、所述空穴传导层、所述P型AlGaN层以及所述P型接触层依次外延生长在所述衬底上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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