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龙图腾网恭喜吉林大学申请的专利一种基于二维光栅波导的模式不敏感的模斑转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117008253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310851295.2，技术领域涉及：G02B6/14；该发明授权一种基于二维光栅波导的模式不敏感的模斑转换器是由王希斌;车远华;孙士杰;余启东;孙小强;张大明设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二维光栅波导的模式不敏感的模斑转换器在说明书摘要公布了：一种基于二维光栅波导的模式不敏感的模斑转换器，属于平面光波导器件技术领域。由硅片衬底、二氧化硅下包层、芯层直波导和聚合物上包层组成，芯层直波导被完全包覆在聚合物上包层之中；沿光的传输方向，芯层直波导由聚合物外芯层直波导和被聚合物外芯层直波导包覆的内芯层直波导组成，内芯层直波导由顺次连接的二维光栅波导和输出直波导组成；内芯层直波导的长度小于聚合物外芯层直波导的长度，且输出直波导和聚合物外芯层直波导的输出端面位于同一平面。本发明器件结构充分发挥了氮化硅材料透明窗口大、热稳定性高以及聚合物材料和氮化硅材料加工工艺成熟且相兼容的优势，为解决基于少模波导的光子集成芯片与少模光纤的耦合方法提供了新思路。

本发明授权一种基于二维光栅波导的模式不敏感的模斑转换器在权利要求书中公布了：1.一种基于二维光栅波导的模式不敏感模斑转换器，其特征在于：从下至上由硅片衬底（31）、在硅片衬底（31）上制备的二氧化硅下包层（32）、在二氧化硅下包层（32）上制备的芯层直波导、在二氧化硅下包层（32）和芯层直波导上制备的聚合物上包层（35）组成，芯层直波导被完全包覆在聚合物上包层（35）之中；沿光的传输方向，芯层直波导由聚合物外芯层直波导（1）和被聚合物外芯层直波导（1）包覆的内芯层直波导组成，内芯层直波导由顺次连接的二维光栅波导（2）和输出直波导（3）组成；内芯层直波导的长度小于聚合物外芯层直波导（1）的长度，且输出直波导（3）和聚合物外芯层直波导（1）的输出端面位于同一平面；二维光栅波导（2）是在内芯层直波导中在与硅片衬底（31）上表面平行的平面内刻蚀出的一系列尺寸相同的凹槽阵列，凹槽在与光的传输方向相平行方向和相垂直方向都均匀排布，平行于光的传输方向的相邻凹槽的间隔距离与凹槽长度相同，垂直于光的传输方向的相邻凹槽的间隔距离与凹槽宽度相同，且沿光的传播方向相邻凹槽彼此交错设置相互间不重合。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吉林大学，其通讯地址为：130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。