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龙图腾网恭喜核工业理化工程研究院申请的专利一种线性模型推算氟利昂的分子同位素丰度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116864013B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310685279.0，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权一种线性模型推算氟利昂的分子同位素丰度的方法是由徐作文设计研发完成，并于2023-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种线性模型推算氟利昂的分子同位素丰度的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种线性模型推算氟利昂的分子同位素丰度的方法，包括以下步骤：确定氟利昂在同位素分析过程中可以形成离子碎片的种类；选取所述离子碎片中离子信号强的离子碎片作为同位素丰度测量的接收离子；确定每一个接收离子的同位素个数及其质量数；对每一个接收离子的同位素按质量数由小到大进行排列、分层，测定氟利昂样品中每一个接收离子的的同位素丰度；将每一个接收离子的同位素丰度按步骤4中质量数的层级重新排队；以碳原子的数目为横坐标、同位素丰度为纵坐标，对将相应的坐标点连接成线，得到碎片同位素丰度随碳原子数目变化图；利用线性推断的方法推算出氟利昂中相同质量数层级的分子同位素丰度。本发明的分析方法简单，可靠性高。

本发明授权一种线性模型推算氟利昂的分子同位素丰度的方法在权利要求书中公布了：1.一种线性模型推算氟利昂的分子同位素丰度的方法，其特征在于，所述氟利昂为只包括碳氟的氟利昂，包括以下步骤：步骤1，确定氟利昂在同位素分析过程中可以形成离子碎片的种类；步骤2，选取所述离子碎片中离子信号强的离子碎片作为同位素丰度测量的接收离子；步骤3，确定每一个接收离子的同位素个数及其质量数；步骤4，对每一个接收离子的同位素按质量数由小到大进行排列、分层，分为最小质量数层、第二小质量数层、第三小质量数层、……、第N小质量数层，其中每一个接收离子的同位素质量数最小的位于所述最小质量数层，第二小的位于第二小质量数层，依此排列；步骤5，测定氟利昂样品中每一个接收离子同位素丰度；步骤6，将每一个接收离子的同位素丰度按步骤4中质量数的层级重新排队；步骤7，以碳原子的数目为横坐标、同位素丰度为纵坐标，对将相应的坐标点连接成线，得到碎片同位素丰度随碳原子数目变化图；步骤8，利用线性推断的方法推算出氟利昂中相同质量数层级的分子同位素丰度；所述步骤8中，线性推断的方法包括Excel图像处理和建立线性方程两种方法；所述Excel图像处理的方法如下：在Excel文档中，对氟利昂样品中的每一个接收离子最小质量数层级的同位素丰度随碳原子数变化图进行直线线性拟合，得到同位素丰度随碳原子数目变化的直线，直线继续延伸，得到碳数目为氟利昂中碳数目与同位素丰度随碳原子数目变化的直线交点为中心，读出碳原子数目为氟利昂中碳数目对应的丰度值，即氟利昂同位素中最小质量数对应的丰度；依次类推，得到氟利昂同位素中第二小质量数对应的丰度，……、第N小质量数层对应的丰度；建立线性方程的方法如下：步骤s1，根据接收离子同一质量数层级的同位素丰度随碳原子数目变化的直线线性规律，设计直线方程：公式yn=y1+k（n-1）为碳原子数为n的氟利昂的分子同位素的最小质量数对应同位素丰度和第二小质量数对应同位素丰度的计算公式；公式yn=y1+k（n-2）为第三小质量数对应的同位素丰度计算公式；以上公式中y为接收离子的同位素丰度，n为碳原子数目，k为直线的斜率；步骤s2，计算线性方程的斜率：最小质量数对应同位素丰度和第二小质量数对应同位素丰度的直线方程斜率计算：以C1对应的丰度点为基准，C1与C2对应点构成的一条直线，斜率k12,C1与C3对应点构成的一条直线，斜率k13；k12和k13的平均值k，k即为经过点1，介于点1点2直线与点1点3直线之间的一条直线的斜率，即为计算C6F14分子同位素最小质量数对应同位素丰度和第二小质量数对应同位素丰度的线性方程的斜率，k12、k13和k的计算公式为： ；第三小质量数对应丰度的直线方程斜率计算：计算C2～C3直线的斜率，计算公式为： ；步骤s3，由步骤s1的线性方程和步骤s2的线性方程的斜率，计算氟利昂的分子同位素。

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