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龙图腾网恭喜西北工业大学申请的专利蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116374941B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310356545.5，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及其制备方法是由马志波;王嘉言;苑曦宸设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光纤传感器领域，尤其涉及蓝宝石基悬膜光纤F‑P腔MEMS声压传感器及其制备方法。针对目前现有技术中蓝宝石基传感器减薄厚度不足，无法对传感器有高灵敏度需求的高温近场声学测量领域使用，本发明通过采用在悬膜结构的空腔中填充光刻胶作为机械支撑层，然后采用精密减薄抛光工艺将蓝宝石晶圆减薄至目标厚度，再将光刻胶用湿法去除获得大面积悬膜结构，通过耐高温陶瓷胶粘接光纤和陶瓷插芯制得传感器。本发明的大面积超薄悬膜敏感结构的光纤F‑P腔MEMS传感器，在提升传感器力学灵敏度的基础上，减少超薄悬膜在磨削等精密加工中因缺少机械支撑、磨削应力堆积引起的破坏，保证了磨削加工的良率，可以感知声压级大于60dB的声压波动。

本发明授权蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.蓝宝石基悬膜光纤F-P腔MEMS声压传感器的制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤1：选取三片直径相同的蓝宝石晶圆，在其中一片的表面通过飞秒激光烧蚀直径20mm的通孔阵列作为蓝宝石结构层（4），在另外一片的表面加工填胶通孔（6）形成蓝宝石衬底层（5），剩余一片作为未加工蓝宝石晶圆；步骤2：将上述三个蓝宝石晶圆表面进行活化处理，从上而下依次按照未加工蓝宝石晶圆、蓝宝石结构层（4）、蓝宝石衬底层（5）对准后在键合机中加载压力键合，形成三层蓝宝石晶圆键合结构（1）；步骤3：将键合后的三层蓝宝石晶圆键合结构（1）浸入光刻胶（8）中，在真空环境中通过填胶通孔（6）向其中填充光刻胶（8），并热烘、坚膜；步骤4：对未加工蓝宝石晶圆的上表面进行磨削、化学机械抛光，使其厚度达到设定厚度形成声敏薄膜（3）；步骤5：通过湿法腐蚀去除其中的光刻胶（8），形成悬膜敏感F-P腔（7），将三层蓝宝石晶圆键合结构（1）划切成小片，获得声敏芯片（2）；步骤6：将蓝宝石光纤（10）插入插芯（9）中并安装在蓝宝石衬底层（5）的底面。

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