恭喜河南师范大学袁延忠获国家专利权
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龙图腾网恭喜河南师范大学申请的专利一种基于硒化锗二维材料的场效应晶体管及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116364779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310308922.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种基于硒化锗二维材料的场效应晶体管及其应用是由袁延忠;张亚君;郭彩霞;袁秋林;杨豪强;于坤;王芳设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于硒化锗二维材料的场效应晶体管及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于硒化锗二维材料的场效应晶体管及其应用，包括从下至上依次堆叠的衬底，第一隔离层，硒化锗沟道，第二隔离层，单栅极结构，以及与所述单栅极结构相邻的源极漏极。本发明具有的优点是该场效应晶体管体积小，结构整齐；并采用硒化锗做沟道，能达到满足HP应用标准的开关电流、亚阈值摆幅，进而提高场效应管的性能。
本发明授权一种基于硒化锗二维材料的场效应晶体管及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于硒化锗二维材料的场效应晶体管，其特征在于，包括从下至上依次堆叠的衬底，第一隔离层，硒化锗沟道，第二隔离层，单栅极结构，以及与所述单栅极结构相邻的源极漏极；其中，所述衬底是由二维蜂窝型的硅烯制备而成，且所述硅烯具有翘曲单层六元环结构；所述硒化锗沟道是由N型掺杂或者P型掺杂硒化锗制成，即利用垂直热壁化学气相沉积法CVD在硒化锗外延层上生长10nm的硒化锗P型或N型重掺杂区；利用垂直热壁化学气相沉积法CVD在硅烯外延层上生长10nm的硅烯P型或N型重掺杂区；所述衬底与所述硒化锗沟道形成肖特基接触；所述单栅极结构是由绝缘介质层和栅电极堆叠而成；所述绝缘介质层的材质为SiO2、SiC、SiN、HfO2、TiO2中的任意一种；所述栅电极、源电极、漏电极采用的金属为Au、Cu、Ni、Ti、Cr、Ag中的一种或者两种；所述源极漏极包含有硅锗和硒化锗，所述硒化锗中的Ge浓度为23％～27％，所述硅锗中的Si浓度为17%～24%；源漏区域中硅烯衬底的掺杂浓度为1×1013cm-2。
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