买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜广州粤芯半导体技术有限公司申请的专利双晶体管或非型闪存存储结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322050B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310186008.0，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权双晶体管或非型闪存存储结构及其制备方法是由张有志;沈安星设计研发完成，并于2023-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本双晶体管或非型闪存存储结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种双晶体管或非型闪存存储结构，包括衬底、P型阱、第一N型阱、第二N型阱、第三N型阱、有源层、多晶硅栅极结构和位线结构，衬底具有深N阱；P型阱设置于深N阱上；第一N型阱、第二N型阱以及第三N型阱间隔设置于P型阱内，且与深N型阱间隔设置，第二N型阱位于第一N型阱与第三N型阱之间；有源层设置于P型阱、第一N型阱、第二N型阱以及第三N型阱上；多晶硅栅极结构和位线结构间隔设置于有源层上，有源层、第一N型阱、第二N型阱以及多晶硅栅极形成第一晶体管，有源层、第三N型阱、第二N型阱以及位线结构形成第二晶体管，以提高存储结构的性能。

本发明授权双晶体管或非型闪存存储结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双晶体管或非型闪存存储结构，其特征在于，包括：衬底，具有深N阱；P型阱，设置于所述深N阱上；第一N型阱、第二N型阱以及第三N型阱，间隔设置于所述P型阱内，且与所述深N阱间隔设置，所述第二N型阱位于所述第一N型阱与所述第三N型阱之间；有源层，设置于所述P型阱、第一N型阱、第二N型阱以及第三N型阱上；以及多晶硅栅极结构和位线结构，间隔设置于所述有源层上，其中，所述多晶硅栅极结构位于部分所述第一N型阱以及部分所述第二N型阱之上，所述位线结构位于部分所述第二N型阱以及部分所述第三N型阱之上，所述衬底、所述P型阱、所述有源层、所述第一N型阱、所述第二N型阱以及所述多晶硅栅极形成第一晶体管，所述衬底、所述P型阱、所述有源层、所述第三N型阱、所述第二N型阱以及所述位线结构形成第二晶体管；所述多晶硅栅极结构包括浮栅，所述位线结构包括第一位线，所述浮栅与所述第一位线同层且间隔设置于所述有源层上；所述多晶硅栅极结构还包括依次层叠设置于所述浮栅上的第一隔离层和控制栅，所述位线结构还包括依次层叠设置于所述第一位线上的第二隔离层和第二位线，所述第一隔离层与所述第二隔离层同层且间隔设置，所述控制栅与所述第二位线同层且间隔设置。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州粤芯半导体技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。