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恭喜长治学院胡晓琴获国家专利权

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龙图腾网恭喜长治学院申请的专利一种介孔空心碳球表面原位生长MoO2纳米片复合材料获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116190649B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211362331.0,技术领域涉及:H01M4/62;该发明授权一种介孔空心碳球表面原位生长MoO2纳米片复合材料是由胡晓琴;王光艳;苏峰;韩春;吴林韬设计研发完成,并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。

一种介孔空心碳球表面原位生长MoO2纳米片复合材料在说明书摘要公布了:本发明公开了一种介孔空心碳球表面原位生长MoO2纳米片复合材料,在核壳结构的SiO2@SiO2RF上负载钼‑多巴胺螯合物纳米片,经碳化刻蚀掉SiO2模板后,所得介孔空心碳球表面原位生长MoO2纳米片的复合材料具有较高的比表面积和多孔结构,有利于电解液的渗透和硫的渗入,提高材料的导电性,同时,介孔壳和较大内部空隙可以提供足够的储硫空间,并缓冲充放电过程中硫物种的体积膨胀保证结构稳定,另外,超薄MoO2纳米片可以暴露更多的活性位点,大大提高对Li2Sx的化学吸附和催化转化效率,阻止Li2Sx在电解液中的溶解,有效抑制穿梭效应。因此,制备的HMC@MoO2‑S正极在高硫载量(5.0mgcm−2)条件下,锂硫电池表现出优异的循环稳定性。

本发明授权一种介孔空心碳球表面原位生长MoO2纳米片复合材料在权利要求书中公布了:1.一种介孔中空碳球表面原位生长超薄MoO2纳米片复合材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)制备介孔中空碳球前驱体SiO2@SiO2RF;(2)将四水合钼酸铵溶于去离子水中,再加入盐酸多巴胺,盐酸多巴胺与四水合钼酸铵的质量比为1:1,搅拌均匀得到A溶液;剧烈搅拌下,将步骤(1)所得介孔中空碳球前驱体SiO2@SiO2RF加入乙醇中,得到B溶液;将A溶液缓慢注入B溶液中,离心、干燥,得到HMC@MoO2前驱体,其中,四水合钼酸铵与介孔中空碳球前驱体SiO2@SiO2RF的质量比为11~33:500;(3)在氩气氛围中,步骤(2)所得前驱体于600~800℃下煅烧3~5h,所得产物刻蚀掉SiO2模板,洗涤、真空干燥后得到所述介孔中空碳球表面原位生长超薄MoO2纳米片复合材料;其中,介孔中空碳球前驱体SiO2@SiO2RF通过以下步骤制备:在乙醇和H2O混合溶剂中加入氨水,在搅拌下加入正硅酸四丙酯,搅拌一段时间后加入间苯二酚和甲醛,室温搅拌24h以上,离心、洗涤、干燥后得到介孔中空碳球前驱体SiO2@SiO2RF。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人长治学院,其通讯地址为:046011 山西省长治市潞州区保宁门东街73号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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